3. 如圖(一)所示電路，假設二極體的順向導通電壓為0.7V，若不考慮順向電阻，則 I_D2為 多少mA？
(A) 1.0
(B) 2.1 
(C) 2.7
(D) 3.0 

4. 如圖(二)所示電路，輸入電壓為 V_i =10sin(377t)V ，其中稽納二極體(Zener diode )Z₁、Z₂ 特性相同，順向電壓為0.6V，稽納崩潰電壓為6V。此電路在正常工作時，下列敘述何者正確？
(A) 此電路為箝位電路
(B) 此電路為整流電路
(C) V_o最大值為+6.6V
(D) V_o最小值為– 5.4V ˉ

5. 如圖(三)所示電路，若二極體具理想特性，輸入電壓V_i為工作週期 50 %的脈波，最大 電壓+10V，最低電壓+2V。若RC時間常數使輸出脈波不失真，輸出電壓的平均值為8V， 則V_REF為多少伏特？
(A) 2
(B) 4
(C)6
(D) 8 

8. 如圖(四)所示放大器直流偏壓電路，電晶體 β=99，V_BE=0.7V。若I_B=50 μA ，V_CE=5V， 則R_E為多少 Ω？
(A) 500
(B) 600
(C) 800
(D)920

 9. 如圖(五)所示放大器直流偏壓電路，電晶體β=99，V_BE =0.7V。若I_B =40 μA ，R_E為多少Ω？
(A) 413
(B) 502
(C) 612
(D) 705

10. 如圖(六)所示電路，電晶體工作於作用區，β=99，V_BE =0.7V，熱電壓(thermal voltage ) V_T=26mV，則此放大電路之電流增益 約為何值？
(A) 30i
(B) 28
(C) 25
(D) 22

11. 雙極性接面電晶體(BJT)小訊號模型中，V_T為熱電壓，r _e為射極交流電阻，Δi_C為集極 電流微小變動量、Δv_BE為基射極電壓微小變動量，i _c為集極小訊號電流，v_be為基射極小 訊號電壓，Q為工作點，I_CQ為工作點集極直流偏壓電流。若不考慮歐力效應(Early effect)， 則下列有關轉移電導g_m的敘述，何者錯誤？
(A)
(B)
(C)
(D)

12. 如圖(七)所示電路，電晶體工作於作用區，β=99，射極交流電阻re=20Ω。若此放大電路 之電壓增益 ，則R_C約為何值？
(A) 2.2 kΩ 
(B) 4.1 kΩ
(C) 6.8 kΩ
(D)13.6 kΩ

15. 下列各元件之符號名稱，何者正確？
(A) P通道JFET
(B) N通道增強型MOSFET
(C) P通道空乏型MOSFET
(D) NPN BJT 

16. 如圖(八)所示電路，其中MOSFET的參數K= 0.5mA/ V ²、臨界電壓 ( threshold voltage ) V_th=2V。若其汲極電流I_D =0.5mA，則電阻R_S值應為多少？
(A) 500
(B) 1 kΩ
(C) 2 kΩ
(D) 3 kΩ

18. 如圖(九)所示電路，其中JFET之夾止電壓V_P=– 4V。已知此JFET放大電路的工作點為 V _DS = 3 V、I _D = 1 mA，汲極電阻r _d忽略不計，則此電路之小訊號電壓增益 V_o /V_i為何？
(A) – 1.1 
(B) – 1.6
(C) – 3.2
(D) – 12

19. 如圖(十)所示電路，若MOSFET電晶體之轉移電導g _m =2mA/ V，汲極電阻r _d =50 kΩ， 則此電路之小訊號電壓增益V_o /V_i約為何值？
(A)0.79 
(B) 0.91
(C) 1.09
(D) 1.58

20. 如圖(十一)所示之運算放大器電路工作在未飽和情形下，請問電壓增益V_o /V_i為何？
(A) –10 
(B) –5
(C) 5
(D) 10 

21. 如圖(十二)所示之運算放大器電路，稽納二極體(Zener diode)的稽納崩潰電壓為 V_Z=6.2V， 求在正常工作下的輸出電壓V_o為多少？
(A) 3.1V
(B) 6.2V
(C) 12.4V
(D) 15V

22. 如圖(十三)所示之兩級運算放大器電路皆工作在未飽和情形下，其中電阻 R₁ = 10 kΩ、 R₂=20 kΩ、R₃=R₄=30kΩ、R_{f 1}=R_{f 2}=30 kΩ，當輸入電壓V₁=1V、V₂=2V、V₃=3V， 請問輸出電壓V_o為多少？
(A) 9V
(B) 6V
(C) – 6V
(D) – 9V

24. 有一施密特(Schmitt)觸發電路如圖(十四)所示，其中+V_CC和–V_CC為電源電壓，V_r為參考 電壓，若輸出之正飽和電壓為+V_sat，負飽和電壓為–V_sat，則其遲滯電壓V_H為下列何者？
(A) (2V_sat R₁ )/R₂
(B) ( 2V_sat R₂ )/R₁
(C) (2V_sat R₁ )/(R₁+R₂ )
(D) (2V_sat R₂ )/(R₁+R₂ ) 

26. 電壓、電流、電阻、電荷及時間分別以V、I、R、Q及t表示，下列何者不是電能的表示式？
(A) I² Rt 
(B)
(C)
(D) QV

29. 如圖(十五)所示之電路，試求a、b兩端的等效電阻 R_ab為何？
(A) 3Ω
(B) 4Ω
(C) 6Ω
(D) 12Ω 

30. 如圖(十六)所示之電路，試求節點電壓 V_a為何？
(A) 1V
(B) 2V
(C) 3V
(D) 6V 

31. 如圖(十七)所示，試求 i ₁、i ₂、i ₃及 i ₄的電流為何？
(A) i ₁=6A , i ₂=– 5A , i ₃=3A , i ₄=– 6A
(B) i ₁=6A , i ₂=5A , i ₃=– 7A , i ₄=– 4A
(C) i ₁=7A , i ₂=5A , i ₃=– 3A , i ₄=– 6A
(D) i ₁=7A , i ₂=– 5A , i ₃=3A , i ₄=– 6A 

32. 如圖(十八)所示之電路，試求節點電壓 V_a為何？
(A) 6V
(B) 8V
(C) 10V
(D) 15V 

33. 如圖(十九)所示，試求節點電壓 V₁為何？
(A) – 9V 
(B) – 6V
(C) 1V
(D) 11V 

34. 如圖(二十)所示之電路，發生最大功率轉移時，負載 R_L所能獲得之最大功率為何？
(A) 33W 
(B) 44W
(C) 121W
(D) 196W

36. 如圖(二十一)所示，電容器C₁ =9 μF 、C₂ =18 μF ，電阻R= 60 Ω，直流電源 E= 24 V， 當電路已達穩定狀態，則下列敘述何者正確？
(A) 電容器C₁的電壓為12V
(B) 電容器C₂的電壓為16V
(C) 儲存於電容器C₁的電量為144 μC
(D) 儲存於電容器C₂的電量為216 μC 

38. 如圖(二十二)所示，a、b兩端的電壓為vab (t)，則下列敘述何者正確？
(A) v _ab ( 2)=2.5mV
(B) v_ab ( 6 )=0mV
(C) v_ab ( 7 )=5mV
(D) v _ab ( 9)=2.5mV ˉ

39. 如圖(二十三)所示，若電壓源E=15V，R₁=R₂=R₃=10Ω，C=10 μF ，開關SW打開時為 t=0，則下列敘述何者錯誤？
(A) t ＞0之電路時間常數τ=0.3ms
(B) t=0電容器的電壓為零
(C) 開關打開後電路達穩態時電容器C電壓大小為7.5V
(D) 電路達穩態後，沒有電流流過電容器C

40. 如圖(二十四)所示，若電壓源E=24 V，R₁= 3 Ω，R₂ = 6Ω，L =5mH，開關SW閉合時為 t=0，請問t ＞0之i_L (t)為何？

(A)
(B)
(C)
(D)

43. 有一 R L C 串聯交流電路，若 R = 2 0 Ω、L = 1 0 m H、C = 100 μ F，電源電壓 v(t)= 20sin(1000t +30°)V，則下列敘述何者正確？
(A) 電源電流相位落後電源電壓相位45 °
(B) 電阻器兩端電壓 v_R (t)= 20sin(1000t +30°)V
(C) 總阻抗
(D) 電源電流 i(t)=1.0sin(1000 t -15°)A ˉ

44. 有一RLC 並聯交流電路，若R=10Ω、L=10mH、總導納 =( /10)∠45°S，電源電壓 v(t)=10sin(1000t + 30°)V，則下列敘述何者正確？
(A) 流經電感器的電流 i_L (t)=1.0sin(100 t -60°)A
(B) 電容C=20μF
(C) 此電路為電容性電路
(D) 電源電流 i(t)= 50 sin(1000 t -15°)A 

45. 如圖(二十五)所示之RLC 串並聯交流電路，試問下列敘述何者正確？
(A) 流經電感器的電流 =2∠– 90°A
(B) a、b 兩端電壓 ab =7.2∠53.1 °V
(C) 電源電流 =2.4∠– 36.9 °A
(D) 總阻抗 =5∠36.9°Ω