所屬科目：研究所、轉學考(插大)◆電子學
1. 造成半導體中的漂移電流主要的原因是 (A)溫度 (B)磁場 (C)濃度不均勻 (D)電場。
2. 矽的p-n二極體導通時，其順向壓降約為 (A) 0.7 mV (B) 7 mV (C) 70 mV (D) 700 mV。
3. 半導體中內建電位的來源為p-n接面的(A)濃度不均勻 (B)空乏區 (C)磁場 (D)溫度不均勻。
4.則 \( I_D=? \)(A) 4.7 mA (B) 5.7 mA (C) 6.7 mA (D) 7.7 mA。
5. 同上題，電阻RL上壓降的交流電壓vL為(A) 1.88 (B) 1.99 (C) 0.88 (D) 0.99 sinωt (mV)。
6. 下列何者錯誤？(A)雙極性電晶體以輸入電流來控制輸出電壓 (B)雙極性電晶體是雙載子元件(C)場效電晶體以輸入電流來控制輸出電壓 (D)場效電晶體是單載子元件
7. 場效電晶體是利用那一極來控制電流大小？(A)閘極 (B)汲極 (C)源極 (D)基極
8.圖(二)的電晶體電路，\( R_B=10\text{ K}\Omega \)，\( R_C=2\text{ K}\Omega \)，\( V_{BE}=0.7\text{ V} \)，\( \beta=49 \)，求 \( I_C=? \)
(A) 4.2 mA(B) 5.2 mA(C) 6.2 mA(D) 7.2 mA
9. 同上題，電壓增益vo/vs=?(A) -167 (B) -263 (C) -321 (D) -210
10. 同上題，輸入電阻Rin=?(A) 0.014 KΩ (B) 0.024 KΩ (C) 0.034 KΩ (D) 0.044 KΩ
11.在電子電路中，增益掉 3dB 代表此電路因頻率響應其輸出訊號之大小為輸入訊號大小
(A) 0.5(B) 2(C) \( \sqrt{2} \)(D) \( \frac{1}{\sqrt{2}} \)(E) 3 倍
一電路的轉移函數為 \( T(s) = \frac{s(s+10)}{(s+100)(s+1000)} \)，則其低頻 3dB 頻率約為
(A) 0(B) 10(C) 100(D) 1000 rad/s
13. 圖(三)為 (A)凹陷濾波器 (B)帶通濾波器 (C)低通濾波器 (D)高通濾波器
14. 同上題，圖(三)電路之極點頻率p等於(A) 1 (B)10 (C)102 (D)103 (E) 104 rad/s
15. BJT電晶體工作在主動區的正確偏壓為(A) EB接面逆向偏壓 CB接面順向偏壓 (B) EB接面順向偏壓 CB接面逆向偏壓 (C) EB接面順向偏壓 CB接面順向偏壓 (D) EB接面逆向偏壓 CB接面逆向偏壓
16. NMOS電晶體當作放大器時，其工作區在(A) pinch-off region (B) cut-off region (C) triode region (D)任何一區
17. MOSFET電晶體直流工作時哪一項參數一定等於零(A)閘極電流 (B)汲極電流 (C)源極電流 (D)三極電流皆不為零
18. p通道場效電晶體(FET)之電荷載子為(A)電子 (B)主載子為電洞、副載子為電子 (C)主載子為電子、副載子為電洞 (D)電洞
19. 當偏壓在順向活性區(forward active)時，基極少數載子的分布比較像哪一圖？(A)(B)(C)(D)(E)
20. 在小訊號交流等效電路中，藕合電容器可視為(A)開路 (B)短路 (C)電阻器 (D)以上皆非
1. 圖(四)的二極體是理想二極體，(1)若Vi=6 V，則Vo=? (2)若Vi=－4 V，則Vo=?
(1)電壓增益vo/vi=?
(2) 輸入阻抗Zin=?
已知圖 (六) 為 BJT 構成之電流鏡，\( V_{CC}=10\,\text{V} \)，\( R=6.2\,\text{k}\Omega \)，\( V_{BE}=0.7\,\text{V} \)，\( V_A=125\,\text{V} \)，則求此電流鏡中，求(1) \( I_o \)大小為多少 mA？(2) \( R_o \)大小為多少 \( \text{k}\Omega \)？
(1)此差動放大器流過RE 之直流工作電流IE 為多少mA？
(2)求此差動放大器之差模增益 \( A_d = \frac{v_{o2}}{v_{i1} - v_{i2}} = \frac{v_{o2}}{v_d} \) 之大小？
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(A)凹陷濾波器 (B)帶通濾波器 (C)低通濾波器 (D)高通濾波器
(B)
(C)
(D)
(E)
