所屬科目:電子學
一、圖一(a)電容 C 之電壓 vC(t),已知 vC(0) = 0,τ = RC,二極體 D 具有理 想特性,導通電壓為 0 V,vS(t) 為從 t = 0 開始,週期 T 之方波如圖 一(b),e –Τ/2τ = 0.9,–3 V 直流電池之內阻 RS << R,且τS = RSC << T。在 0 < t < 2T 區間,推導並畫出 vL(t)之波形。(20 分)
二、圖二放大器中,Q1 與 Q2 製程參數為 kn’ = 2kp’ = 2 mA/V,(W/L)p = 18×(W/L)n = 360,|Vtn| = 1.2 V,|Vtp| = 0.8 V,不考慮 Early effect。使 Q2 具放大器功能時,推導並畫出 vI - vO 轉換曲線,須註明範圍以及線段之斜率。 (20 分)
三、圖三放大器僅顯示交流分析所需要的元件,電晶體參數 gm = 30 mA/V, rπ = 2 kΩ,ro = 36 kΩ。RS = 12.6 kΩ,RB1 = RB2 = 36 kΩ,RC1 = RC2 = 4 kΩ, RE1 = RE2 = 1 kΩ,RL = 0.9 kΩ,CE → ∞。⑴ CC1, CC2, CC3 之容值均→ ∞, 求算電壓增益 Av = vo/vs。 (10 分)⑵ CC1 = 25/18 μF,CC2 = 25/27 μF, CC3 = 20/23 μF,估算增益頻率響應之低頻 3-dB 點,可利用 10/π ≈ 3.18 計算 近似結果。(10 分)
四、圖四放大器 R1 = R3 = Ro2 = 1 kΩ,Ri1 = R2 = 2 kΩ,Ri2 = 8 kΩ,Ro1 = 7 kΩ, A1 = 10 V/V,A2 = 5 V/V。求算放大器之輸入電阻 Rif、輸出電阻 Rof、以 及電壓增益 Av = vo/vs。(20 分)
五、圖五邏輯閘電路輸入訊號 vI 之高、低電位分別為+5V、0V,CL 為負載電 容,電晶體之|VA| → ∞,不考慮 body effect,其中 Q1 與 Q2 之β = 50,且 導通時|VBE| = 0.7V;QP 與 QN 之臨界電壓|Vtp| = |Vtn| = 0.8 V,kn = 2.5kp = 0.2 mA/V2,(W/L)n = 1。⑴在 vI = +5 V 與 0 V 的穩態時,vO 之電位、 QP 與 QN 之工作區各為何?(10 分)⑵ vI = +2.5V 為此邏輯閘的臨界 電壓,此時所有晶體導通,QP 與 QN 電流相同,Q1 與 Q2 集極電流亦相 同,求算(W/L)p 之值與 Q1 集極電流。 (10 分)