所屬科目：國營事業◆1.電路學 2.電子學
1. 理想伏特計之內阻為何？(A) 0 (B) 1 (C) 10 (D) ∞
2. 理想安培計之內阻為何？(A) 0 (B) 1 (C) 10 (D) ∞
3. 當RLC電路發生串聯共振時，下列何者有誤？(A)阻抗最小 (B)電流最大 (C)功率最大 (D)電壓最小
4. 當RLC電路發生並聯共振時，下列何者有誤？(A)阻抗最大 (B)電壓最大 (C)功率最大 (D)電流最大
5. 有關電容器及電感器儲存能量之表示式，下列何者正確？ (A) \( W_C = \frac{CV(t)^2}{2} \) (B) \( W_L = LI(t)^2 \) (C) \( W_C = 2CV(t)^2 \) (D) \( W_L = 2LI(t)^2 \)
6. 某一4 H之電感器，通過10 A之電流，試求電感器儲存之能量為何？(A) 100 J (B) 200 J (C) 400 J (D) 800 J
7. 某一 \( 40 \text{ μF} \) 之電容器，帶有 \( 10 \text{ 庫倫} \) 之電荷，試求電容器儲存之能量為何？ (A) \( 1 \times 10^6 \text{ J} \) (B) \( 1.25 \times 10^6 \text{ J} \) (C) \( 1.5 \times 10^6 \text{ J} \) (D) \( 1.75 \times 10^6 \text{ J} \)
8. 8. 兩電容 \( C_1 \) 及 \( C_2 \) 串聯之等效電容值為何？ (A) \( C_1 + C_2 \) (B) \( C_1 \times C_2 \) (C) \( \frac{C_1 + C_2}{C_1 \times C_2} \) (D) \( \frac{C_1 \times C_2}{C_1 + C_2} \)
9. 試求 \( i(t) = 100\sin(t + 20^\circ) \) 與 \( v(t) = 50\cos(t - 30^\circ) \) 之相位相差多少角度？ (A) 20° (B) 40° (C) 60° (D) 80°
10. 一般而言，雙埠網路若具備互易定理之特性，則下列各參數何者有誤？ (A) \( g_{12} = -g_{21} \) (B) \( h_{12} = h_{21} \) (C) \( y_{12} = y_{21} \) (D) \( z_{12} = z_{21} \)
11. 已知Z參數為 \( \begin{bmatrix} 6 & 4 \\ 34 & 27 \end{bmatrix} \)，試求H參數為何？ (A) \( \begin{bmatrix} \frac{26}{27} & \frac{4}{27} \\ -\frac{34}{27} & \frac{1}{27} \end{bmatrix} \) (B) \( \begin{bmatrix} \frac{4}{27} & \frac{26}{27} \\ \frac{1}{27} & -\frac{34}{27} \end{bmatrix} \) (C) \( \begin{bmatrix} -\frac{34}{27} & \frac{1}{27} \\ \frac{26}{27} & \frac{4}{27} \end{bmatrix} \) (D) \( \begin{bmatrix} \frac{1}{27} & -\frac{34}{27} \\ \frac{4}{27} & \frac{26}{27} \end{bmatrix} \)
12. 兩耦合線圈之自感分別為25 mH與100 mH，兩線圈之互感M為50 mH，試求耦合係數k為何？(A) 0.25 (B) 0.5 (C) 1 (D) 1.5
13. 某交流電路之瞬時電流為 \( i(t) = 50\sin(377t - 10^{\circ}) \) A 及瞬時電壓為 \( v(t) = 100\sin(377t + 20^{\circ}) \) V，試求其最大瞬時功率 \( P_{max} \) 值為何？ (A) 2,500 W (B) 3,750 W (C) 4,665 W (D) 5,000 W
14. 如右圖所示之電路，試求I值為何？(A) 5 mA(B) 10 mA(C) 15 mA(D) 20 mA
15. 如右圖所示之電路，試求I1值為何？(A) 2 A(B) 2.25 A(C) 2.5 A(D) 2.75 A
16. 如右圖所示之電路，試求I值為何？(A) 5 A(B) 10 A(C) 15 A(D) 20 A
17. 如右圖所示之電路，試求R值為何？ (A) \( -3 - \sqrt{3} \, \Omega \) (B) \( -3 + 3\sqrt{3} \, \Omega \) (C) \( -1 - \sqrt{3} \, \Omega \) (D) \( -1 + 3\sqrt{3} \, \Omega \)
18. 如右圖所示之電路，試求箭頭看入之戴維寧等效電壓 \( V_{th} \) 值及電阻 \( R_{th} \) 值分別為何？ (A) \( 4\text{ V} \) 及 \( 10^4\text{ }\Omega \) (B) \( 4\text{ V} \) 及 \( 10^3\text{ }\Omega \) (C) \( 8\text{ V} \) 及 \( 10^4\text{ }\Omega \) (D) \( 8\text{ V} \) 及 \( 10^3\text{ }\Omega \)
19. 如右圖所示之電路，試求箭頭看入之戴維寧等效電壓 \( V_{th} \) 值及電阻 \( R_{th} \) 值分別為何？ (A) -72 V 及 60 \( \Omega \) (B) -72 V 及 72 \( \Omega \) (C) -60 V 及 60 \( \Omega \) (D) -60 V 及 72 \( \Omega \)
20. 如右圖所示之電路，當R可匹配最大功率轉移時，試求R值及 PR值分別為何？(A) 1.2 Ω及67.5 W(B) 2.4 Ω及33.75 W(C) 3.6 Ω及22.5 W(D) 4.8 Ω及16.875 W
21. 如右圖所示之電路，當\( Z \)為多少值時可得\( P_Z(\text{Max}) \)值？另試求\( P_Z(\text{Max}) \)值為何？ (A) \( Z = 8 - j8 \ \Omega \) 及 \( P_Z(\text{Max}) = 180 \ \text{W} \) (B) \( Z = 14 - j14 \ \Omega \) 及 \( P_Z(\text{Max}) = 500 \ \text{W} \) (C) \( Z = 14 - j8 \ \Omega \) 及 \( P_Z(\text{Max}) = 250 \ \text{W} \) (D) \( Z = 8 + j14 \ \Omega \) 及 \( P_Z(\text{Max}) = 360 \ \text{W} \)
22. 有一個RL串聯電路，輸入電源vi(t) = 100 + 50sin(3t) V，R = 8 Ω、L = 2 H，此電路之功率因 數PF值為何？(A) 0.9 (B) 0.92 (C) 0.95 (D) 0.98
23. 如右圖所示之電路，t < 0時已達穩態，t = 0開關閉合後之 穩態WL值及WC值分別為何？(A) 100 J及18,200 J(B) 150 J及18,700 J(C) 200 J及19,200 J(D) 250 J及19,700 J
24. 如右圖所示之電路，t < 0時已達穩態，t = 0開關閉合時之Va值 為何？(A) 1.247 V(B) 2.247 V(C) 3.247 V(D) 4.247 V
25. 如右圖所示之電路，t < 0時已達穩態，t = 0開關轉換狀 態時之V2值及I1值分別為何？(A) -600 V及-6 A(B) -600 V及6 A(C) 600 V及-6 A(D) 600 V及6 A
26. 將電晶體與真空管作比較，下列何者為電晶體之優點？(A)易生高熱 (B)價格昂貴 (C)體積小 (D)消耗功率大
27. 下列何者非屬二極體常見的功用？(A)保護 (B)截波 (C)整流 (D)濾波
28. 矽、鍺半導體材料之導電性，隨溫度上升而產生下列何種變化？(A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)成為絕緣體
29. 29. 有一差動放大器，其兩輸入電壓 \( V_{i1} = 75 \mu\text{V} \)，\( V_{i2} = 65 \mu\text{V} \)，共模拒斥比 \( CMRR(\text{dB}) = 40 \text{ dB} \)，差模增益 \( A_d = 200 \)，則下列敘述何者有誤？ (A) 共模增益 \( A_c = 0.5 \) (B) 差模輸入電壓 \( V_d = 10 \mu\text{V} \) (C) 共模輸入電壓 \( V_c = 70 \mu\text{V} \) (D) 輸出電壓 \( V_o = 2.14 \text{ mV} \)
30. 有關CMOS英文縮寫字母之意義，下列敘述何者有誤？(A) C (Channel)是指「通道」之意(B) M (Metal)是指「金屬」之意(C) O (Oxide)是指「氧化物」之意(D) S (Semiconductor)是指「半導體」之意
31. 如右圖所示之倍壓整流電路，變壓器和二極體皆是理想元件，\( V_m \)是變壓器一次側交流電壓的最大值，試求\( V_0 \)和\( V_1 \)的直流電壓為何？ (A) \( V_0 = 0.3 V_m \)，\( V_1 = 0.4 V_m \) (B) \( V_0 = 0.4 V_m \)，\( V_1 = 0.3 V_m \) (C) \( V_0 = 3 V_m \)，\( V_1 = 4 V_m \) (D) \( V_0 = 4 V_m \)，\( V_1 = 3 V_m \)
32. 有一電源電路之輸出電壓為10 ＋ 0.2sin(ωt) V，試求其漣波百分率為何？(A) 0.2% (B) 1.41% (C) 2% (D) 4.24%
33. 有關一般雙極性電晶體(BJT)，下列敘述何者正確？(A)射極摻雜濃度最低且寬度最窄 (B)射極摻雜濃度最低且寬度最寬(C)集極摻雜濃度最高且寬度最窄 (D)集極摻雜濃度最低且寬度最寬
34. 有一雙極性電晶體(BJT)工作於主動區(active region)，集極電流為14.7 mA，基極電流為0.3 mA ，則其α值為何？ (A) 0.1 (B) 0.98 (C) 49 (D) 50
35. 如右圖所示之電路，電晶體導通時 \( V_{BE} = 0.7\text{ V} \)，\( V_{CE} = 0.2\text{ V} \)，欲使電晶體工作於飽和區，則 \( R_L \) 最小值為何？ (A) \( 1.05\text{ k}\Omega \) (B) \( 1.82\text{ k}\Omega \) (C) \( 3.34\text{ k}\Omega \) (D) \( 5.27\text{ k}\Omega \)
36. 偏壓電路的直流工作點工作溫度改變會造成電晶體β值的變化，下列何種偏壓電路最為穩定不受工作溫度影響？(A)固定偏壓電路 (B) 射極回授偏壓電路(C)集極回授偏壓電路(D)基極分壓偏壓電路
37. 有一雙極性電晶體(BJT)放大電路，電晶體之β = 99，熱電壓(thermal voltage)VT = 25 mV，基極直流電流為50 μA，試求該電晶體之射極交流電阻re值為何？(A) 2.5 Ω (B) 5 Ω (C) 250 Ω (D) 500 Ω
38. 如右圖所示之電路，假設NPN、PNP電晶體之β值為100，試求VC2電壓值為何？(A) 2.5 V(B) 3.3 V(C) 4 V(D) 5.7 V
39. 有關JFET共汲極放大電路，下列敘述何者正確？(A)輸入阻抗甚低 (B)電壓增益甚高(C)輸出訊號與輸入訊號相位相反 (D)又稱為源極隨耦器
40. 如右圖所示之電路，已知電晶體 \( \beta = 240 \)，試求中頻電壓增益 \( A_V = \frac{V_o}{V_i} \) 值最接近下列何者？ (A) -400 (B) -300 (C) -200 (D) -100
41. 有關變壓器耦合放大器(Transformer-Coupled Amplifier)之優點，下列敘述何者有誤？(A)改善頻率響應 (B)提高功率轉移效率 (C)提供直流隔離作用 (D)提供前後兩級阻抗匹配
42. 有一N通道增強型MOSFET臨界電壓 \( V_T = 2\text{ V} \)，\( K = 0.25\text{ mA/V}^2 \)，當MOSFET導通且 \( V_{GS} \) 為 \( 4\text{ V} \) 時，試求 \( I_D \) 值為何？ (A) 0.25 mA (B) 0.5 mA (C) 0.75 mA (D) 1 mA
43. 如右圖所示之增強型NMOS電路，試求\( M_1 \)之汲極與源極間之電壓\( V_{DS} \)值為何？ (A) 2.5 V (B) 3.5 V (C) 4.5 V (D) 5.5 V
44. 如右圖所示為一理想放大器，試求電壓增益 \( A_v = \frac{V_o}{V_i} \) 值為何？ (A) -18 (B) -13.5 (C) -9 (D) -4.5
45.有一個四級串級放大器，若每一級截止頻率皆相同(fL=600Hz，fH=70kHz)，試求此四級串級放大器之頻寬為何？(A)15.1kHz(B)17.4kHz(C)28.7kHz(D)33.1kHz
46. 若運算放大器的轉動率(slew rate)為0.6 V/μs，其輸出電壓峰對峰值為10 V，則在輸出不失真的情況下，輸入所能允許正弦波之訊號頻率最高為何？(A) 9.5 kHz (B) 14 kHz (C) 19 kHz (D) 28 kHz
47. 如右圖所示之電路，可執行下列何種邏輯函數？(A) AND(B) OR(C) NAND(D) NOR
48. 有一濾波器的轉換函數 \( T(s) = \frac{10^5}{15s + 10^5} \)，其中 \( s = j\omega \)，試求其截止頻率為何？ (A) 1.06 kHz (B) 6.67 kHz (C) 7.95 kHz (D) 9.42 kHz
49. 有關由電晶體組成之振盪器必要條件，下列敘述何者正確？(A)具有正回授 (B)同時含有電感及電容元件(C)含有壓電效應之元件 (D)含有負電阻特性之元件
50. 如右圖所示之無穩態多諧振盪電路，設兩電晶體之β值已達振盪條件，試求其振盪頻率為何？(A) 361 kHz(B) 721 kHz(C) 1.5 MHz(D) 3 MHz
阿摩線上測驗
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(A) 
(A) 
(A) -72 V 及 60 
(A) 
(A) 
(A) 
(A) -400 (B) -300 (C) -200 (D) -100
(A) 2.5 V (B) 3.5 V (C) 4.5 V (D) 5.5 V
(A) -18 (B) -13.5 (C) -9 (D) -4.5
