所屬科目：電子學
1. 單一時間常數(STC)低通網路之時間常數為 $\tau$，輸入脈波寬度為 T，則在那種狀況下，此低通網路可視為一積分器？ (A) $\tau << T$ (B) $\tau >> T$ (C) $\tau = T$ (D) $T = 5 \tau$
2. 當增加 BJT 電晶體的溫度時，則其電流增益將會： (A) 不變 (B) 增加 (C) 減少 (D) 不一定
3. 一增強型 MOSFET 臨界電壓 $V_T=2V$，當 $V_{GS}=4V$ 時，$I_D=2mA$ 若 $V_{GS}=3V$ 時，則 $I_D$ 為： (A) 2mA (B) 1mA (C) 0.5mA (D) 3mA
4. 共射極放大器的特性為 (A) 電流增益 $\beta$，相位 $180^\circ$ (B) 電流增益 $\alpha$，相位不變 (C) 電流增益 $\alpha$，相位 $180^\circ$ (D) 電流增益 $\beta$，相位不變
5. 有一系統的轉換函數為 $T(S) = \frac{10}{10+S}$，試問下列敘述何者正確？ (A) 高頻時相角接近負 $90^\circ$ (B) 直流增益為 10 (C) 此為一高通電路 (D) 3 分貝頻率為 1 rad/s
6. 有關理想運算放大器(OPA)，下列敘述何者錯誤 (A) 輸入阻抗無窮大 (B) 輸出阻抗無窮大 (C) 共模增益為 0 (D) 開路頻寬無窮大
7. 何者不是負回授放大器之特性？ (A) 雜訊降低 (B) 失真降低 (C) 增益降低 (D) 頻寬降低
8. 半導體之特性敘述，何者錯誤？ (A) 矽比鍺漏電流小，較不穩定 (B) 砷化鎵是發光二極體的主要材料 (C) 半導體在 $0^\circ K$ 時已無自由電子，如同絕緣體 (D) 本質半導體加入雜質後，導電係數提高，電阻值下降
9. 下列有關運算放大器的應用，何者為使用正回授 (A) 反相放大器 (B) 非反相放大器 (C) 樞密特(Schmitt)觸發電路 (D) 電壓隨耦器
10.有一單一電源之 A 類放大器，其 $V_{CC}=20V$，負載 $R_L=10\Omega$，則此放大器最大輸出功率為何？ (A) 2W (B) 3W (C) 4W (D) 5W
11.如圖 1 電晶體 $\beta=40$，$V_{BE}=0.7V$，VCE(飽和)=0.2V，若 $V_I=15V$，則 $V_O$ 值為 (A) 1.1V (B) 2V (C) 0.2V (D) 3V
12.如圖 2 所示，欲使齊納(Zener)二極體正常工作，其 $R_L$ 最小值為 (A) 10$\Omega$ (B) 15$\Omega$ (C) 25$\Omega$ (D) 20$\Omega$
13.如圖 3 所示電路為 (A) 對數放大器 (B) 平均值檢波器 (C) 峰值檢波器 (D) 積分器
14.一類比信號電壓值介於 0 至 10V，若將其轉換為一 8 位元(bits)之數位信號，則其解析度(resolution)為 (A) 1.25V (B) 0.0392V (C) 0.625V (D) 0.0196V
15.在電子電路中設計正回授之目的，通常是為了 (A) 作振盪器用 (B) 增加頻寬 (C) 減少雜訊 (D) 使電路更穩定
16.下列對於達靈頓(Darlington)電路特點之敘述，何者錯誤 (A) 電流增益非常高 (B) 輸入阻抗非常高 (C) 可以推動大功率的負載 (D) 電壓增益非常高
17.射極隨耦(Emitter Follower)屬於何種負回授放大電路 (A) 電流取樣電壓回授 (B) 電流取樣電流回授 (C) 電壓取樣電壓回授 (D) 電壓取樣電流回授
18.下列有關電晶體之敘述何者錯誤 (A) 2 個背對背連接之二極體無法取代電晶體之放大功能 (B) FET 之優點為其(低頻)輸入阻抗甚高 (C) BJT 之構造是對稱的，因此射極與集極可對調使用 (D) 電晶體的各種組態中，具有較低輸入阻抗的是共基極組態
19.下列那一種 FET 在無開極電壓時，不會產生通道 (A) NMOSFET (B) JFET (C) 空乏型 MOSFET (D) 增強型 MOSFET
20.一個理想的電源供應器，其電壓調整率為 (A) 0% (B) 25% (C) 50% (D) 100%
21. Widlar 電流源(current source)線路之敘述何者錯誤？ (A) 與基本之電流源線路比較，多了射極電阻 (B) 輸出電阻不變 (C) 可減少晶片製作面積 (D) 在相同的狀況下，使用之電阻值比基本電流源線路小
22. 接合場效電晶體(JFET)，若 $I_D=I_{DSS}$ 則必須 (A) $V_{GS}=0$ (B) $V_{DS}=0$ (C) $V_{GS}=V_P$ (D) $V_{DS}=V_{GS}$
23. 下列場效電晶體(JFET)與雙極性電晶體(BJT)之比較何者為錯誤 (A) FET 輸入阻抗高 (B) FET 穩定性較差 (C) BJT 增益與頻帶寬之乘積遠大於 FET (D) BJT 操作速度較快
24. 圖 4 所示之電路，若加入 24V 之交流電壓，在無負載之情況時，其輸出直流電壓約若干？ (A) 24V (B) 33.6V (C) 48V (D) 67.9V
25. 如圖 5，已知 $R_1=100K\Omega$，$R_2=5K\Omega$，$R=100K\Omega$ 則由 A 端看入之輸入電阻 Rin 為 (A) 1MΩ (B) 1MΩ (C) 2MΩ (D) 2MΩ
26. 假設圖 6 之輸入電壓 Vi 僅有 0V 與 5V 兩種電壓，若欲使電晶體工作於開關模式($V_i=0V$ 時電晶體截止，$V_i=5V$ 時電晶體飽和)請問下列何種電阻值的組合無法達到此要求？ (A) $R_1=40K\Omega$，$R_2=1K\Omega$ (B) $R_1=1K\Omega$，$R_2=40K\Omega$ (C) $R_1=1K\Omega$，$R_2=10K\Omega$ (D) $R_1=10K\Omega$，$R_2=1K\Omega$
27. 定位電路(Clamping circuit)之敘述，何者錯誤？ (A) 改變輸入信號之直流位準 (B) 基本上由二極體與電容組成 (C) 選擇合適的電阻則可避免形成微分電路 (D) 有整流作用
28. 在數位邏輯中，以下何者可當萬用閘(universal gate) (A) NAND (B) OR (C) AND (D) ExclusiveOR
29. 兩個相同的揚聲器同時響時，其音量比單獨一個揚聲器響時，高出多少分貝(db) (A) 3 (B) 2 (C) 6 (D) 5
30. 振盪器的敘述中，何者錯誤？ (A) 180 度 RC 移相振盪器中至少須有 3 級 RC 網路 (B) 線性弦波振盪器只工作在元件之線性區域內 (C) 晶體共振元件之並聯共振頻率大於串聯共振頻率 (D) 振盪器可將直流變交流
31. 以下有關組合邏輯(Combinatorial logic)和順序邏輯(Sequential logic)的敘述，何者錯誤？ (A) 組合邏輯僅由基本邏輯開(AND，OR，INVERTER)組成 (B) 組合邏輯之輸出與時序無關 (C)順序邏輯由基本邏輯開及正反器等組成 (D)順序邏輯之輸出僅與輸入有關而與時序無關
32. 設計電晶體差動放大器時，射極共同點接一穩定電流源之主要目的是 (A) 增加負回授量 (B) 增加頻寬 (C) 增加增益量 (D) 提高 CMRR
33. 有一差動放大器其 $V_{i_1} = 140 \mu V$，$V_{i_2} = 100 \mu V$，且此放大器 $A_{cm}$ 為 10，共模拒斥比(CMRR)為 100，則其輸出電壓為 (A) 1.2mV (B) 41.2mV (C) 51.2mV (D) 120.4mV
34. 以下為四種回授放大器型式與輸入電阻 $R_i$ 及輸出電阻 $R_0$ 間之關係，何者錯誤？ (A) 並－串，$R_i$ 降低，$R_0$ 提高 (B) 串－並，$R_i$ 提高，$R_0$ 降低 (C) 串－串，$R_i$ 提高，$R_0$ 降低 (D) 並－並，$R_i$ 提高，$R_0$ 降低
35. 功率晶體之規格為：$P_c(25^\circ C) = 150W$，$T_{Jmax} = 150^\circ C$，$\theta_{JC} = 5^\circ C/W$，$\theta_{CA} = 25^\circ C/W$，$T_A = 30^\circ C$，則未使用散熱片時之最大許可功率損耗為： (A) 4W (B) 6W (C) 5W (D) 7.5W
36. 對一具有源極旁路電容器之共源級放大器，如將其旁路電容器移走時則 (A) 電壓增益增加 (B) 互導增加 (C) 互導降低 (D) 電壓增益降低
37. 某濾波電容為 $40 \mu F$，負載電流為 40mA 的全波整流器，峰值濾波電壓是 100 伏特，若電源頻率為 60HZ，試求該濾波器的直流電壓約為 (A) 50V (B) 95V (C) 90V (D) 100V
38. 當運算放大器之輸出為振幅 10V，50KHZ 且無失真的正弦波時，則迴轉率(Slew rate)至少為多少 $V/\mu s$ (A) 0.78 (B) 1.57 (C) 3.14 (D) 6.28
39. 如圖 7 所示，設 $D_1$，$D_2$ 為理想二極體，試求 $V_0 = ?$ (A) 3.67V (B) 1.5V (C) 3V (D) 12V 圖 8.
40. 如圖 8 所示之電晶體電路，試以近似之 h 參數模型，其中 $h_{ie} = 1.4K\Omega$，$h_{fe} = 100$，$h_{oe} = 0$，$h_{re} = 0$)求 Av： (A) 6.1 倍 (B) 3.2 倍 (C) 278.6 倍 (D) 85.1 倍
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(A) 1.1V (B) 2V (C) 0.2V (D) 3V
(A) 10$\Omega$ (B) 15$\Omega$ (C) 25$\Omega$ (D) 20$\Omega$
(A) 對數放大器 (B) 平均值檢波器 (C) 峰值檢波器 (D) 積分器
(A) 24V (B) 33.6V (C) 48V (D) 67.9V
(A) 1MΩ (B) 1MΩ (C) 2MΩ (D) 2MΩ
(A) $R_1=40K\Omega$，$R_2=1K\Omega$ (B) $R_1=1K\Omega$，$R_2=40K\Omega$ (C) $R_1=1K\Omega$，$R_2=10K\Omega$ (D) $R_1=10K\Omega$，$R_2=1K\Omega$
(A) 3.67V (B) 1.5V (C) 3V (D) 12V 圖 8.
(A) 6.1 倍 (B) 3.2 倍 (C) 278.6 倍 (D) 85.1 倍