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【段考】高一化學下學期
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99年 - 99下1高一化學 - 桃園市私立六和高中99 下學期高一化學第一次段考(期中考)#52900
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1有關一個理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？ (A)直流偏壓在主動區 (B)輸入電流為零 (C)共模輸出訊號是無限大 (D)輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源
#1339890
2 如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若 R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ，當 Vi = 0.2 V 時，求流經 R2 電流為多少？ (A)2 μA (B)10 μA (C)20 μA (D)0.2 mA
#1339891
3 如圖所示 CMOS 反相器電路，使用電壓源為+3.3 V，反相器之輸出負載為一個電容 CL = 1 pF，若輸 入訊號 vI之交換頻率為 1 MHz，則此電路之消耗功率約為多少？ (A)3 μW (B)6 μW (C)11 μW (D)14 μW
#1339892
4 場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於： (A)本體效應（Body effect） (B)通道長度調變效應（Channel length modulation effect） (C)溫度效應（Temperature effect） (D)密勒效應（Miller effect）
#1339893
5 雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）gm定義為： (A) (B) (C) (D)
#1339894
6 如圖所示電路，一個理想運算放大器，若運算放大器之飽和電壓為 ±14 V，在其飽和前，iL的最大值 約為何？ (A)4.7 mA (B)4 mA (C)2 mA (D)1.4 mA
#1339895
7 下列那一個元件的端點數最多？ (A)電阻 (B)二極體 (C)雙極性接面電晶體 (D) MOS 電晶體
#1339896
8 有關 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A)溫度越高，雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓越大 (B)溫度越高，稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓越大 (C)雜質濃度較濃之一側，空乏區較小 (D)逆向偏壓時，一般不考慮擴散電容（diffusion capacitance）
#1339897
9 如圖所示電路，若二極體為理想二極體，當 Vi = 11 V 時，Vo為多少伏特？ (A)-11 (B)-9 (C)-7 (D)-5
#1339898
10 如圖所示電路，稽納二極體（Zener Diode）的 VZ = 6 V，崩潰的最小工作電流 IZK = 2 mA，欲稽納 二極體在崩潰區工作，有關電阻 RL的敘述，下列何項正確？ (A)最大值為 1 kΩ (B)最小值為 1 kΩ (C)最大值為 750 Ω (D)最小值為 750 Ω
#1339899
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