12 增強型N通道MOSFET之臨限電壓 |Vt| = 3 V，欲使之導通，則閘極和源極間的電壓VGS應加何種偏壓？ (A) 0 V (B) 2 V (C) 4 V (D)-4 V

12 增強型N通道MOSFET之臨限電壓 |V_t| = 3 V，欲使之導通，則閘極和源極間的電壓V_GS應加何種偏壓？
(A) 0 V
(B) 2 V
(C) 4 V
(D)-4 V

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統計： A(8), B(8), C(149), D(9), E(0) #814490

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雪菓菓

B2 · 2018/12/06

#3102384

Vgs>Vt N的增強型Vgs是...

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20 圖為差動放大器（Differential Amplifier）。其中VDD為電壓源，I為偏置電流源（Bias Current Source ），I = 1 mA。RD1=2 kΩ+ΔRD/2，RD2=2 kΩ-ΔRD/2，電晶體Q1、Q2的驅使電壓（Overdrive Voltage ，VGS-VTH）為 0.2 V，並且Q1、Q2完全匹配。此放大器輸入偏移電壓（Offset Voltage）為 1 mV 。則ΔRD約為： (A) 20 Ω (B) 10 Ω (C) 2 Ω (D) 1 Ω

12 增強型N通道MOSFET之臨限電壓 |V_t| = 3 V，欲使之導通，則閘極和源極間的電壓V_GS應加何種偏壓？
(A) 0 V
(B) 2 V
(C) 4 V
(D)-4 V

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(A) 0 V
(B) 2 V
(C) 4 V
(D)-4 V