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115年 - 115 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題:電子學#139792
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12. 有關場效電晶體之優點,下列何者有誤?
(A)輸入阻抗高
(B)雜訊較低
(C)製作簡單
(D)增益與頻寬乘積甚大
答案:
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統計:
A(3), B(1), C(3), D(2), E(0) #3893381
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2026/10/15
#7587966
這題在考什麼觀念 本題在考場效電晶體(F...
(共 884 字,隱藏中)
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13. 一功率電晶體,接面最高允許溫度 $\mathrm{T}_{\mathrm{J}(\max)} = 175^{\circ}\mathrm{C}$,在外殼溫度 $\mathrm{T}_{\mathrm{C}} = 25^{\circ}\mathrm{C}$ 下,若 $\theta_{\mathrm{Jc}} = 1^{\circ}\mathrm{C} / \mathrm{W}$,則最高散逸功率為何? (A) $150 \mathrm{~W}$ (B) $200 \mathrm{~W}$ (C) $250 \mathrm{~W}$ (D) $300 \mathrm{~W}$
#3893382
14. 下列何者為輸出及輸入電壓反相180度的放大器組態? (A)共基極( CB ) (B)共射極( CE ) (C)共集極( CC ) (D)共汲極( CD )
#3893383
15. 有關串級放大器之敘述,下列何者有誤? (A) RC耦合放大器在低頻時增益會下降 (B)直接耦合放大器的工作點較容易漂移 (C)達靈頓電路的電流增益略小於1 (D)變壓器耦合放大器的功率移轉效率較高
#3893384
16. 有關MOSFET特性之敘述,下列何者有誤? (A)增強型MOSFET結構上少了通道 (B) N通道空乏型MOSFET夾止電壓為負值 (C) P通道增強型MOSFET臨界電壓為正值 (D) MOSFET有空乏型及增強型兩種形式
#3893385
17. 如右圖所示之三級放大器,若輸入電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{in}} = 2 \mathrm{mV}$,則輸出電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{out}}$ 為何? (A) $1 \mathrm{~V}$ (B) $2 \mathrm{~V}$ (C) $3 \mathrm{~V}$ (D) $4 \mathrm{~V}$
#3893386
18. 如右圖所示,若調整變壓器初級線圈與次級線圈的圈數比,可讓揚聲器獲得最大之功率,則此最大功率為何? (A) $0.5 \mathrm{~W}$ (B) $1 \mathrm{~W}$ (C) $5 \mathrm{~W}$ (D) $10 \mathrm{~W}$
#3893387
19. 一功率放大器之直流輸入功率為 $50 \mathrm{~W}$,交流輸出功率為 $43 \mathrm{~W}$,則其類型屬下列何者? (A) A類 (B) B類 (C) AB類 (D) C類
#3893388
20. 如右圖所示,若稽納二極體之崩潰電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{z}} = 8 \mathrm{~V}$,則此稽納二極體之消耗功率為何? (A) $8 \mathrm{~mW}$ (B) $16 \mathrm{~mW}$ (C) $64 \mathrm{~mW}$ (D) $128 \mathrm{~mW}$
#3893389
21. 有關兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大器電路之敘述,下列何者有誤? (A)低頻的電壓增益不會受到耦合電容的影響而降低 (B)第一級直流工作點的變化不會影響到第二級的交流電壓增益 (C) RC耦合串級放大器電路,級與級間直流工作點不互相影響 (D) RC耦合串級放大器電路,級與級間阻抗匹配不易,容易消耗許多功率
#3893390
22. 如右圖所示之理想運算放大器電路,其輸出電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{o}}$ 為何? (A) $-12 \mathrm{~V}$ (B) $-10 \mathrm{~V}$ (C) $-8 \mathrm{~V}$ (D) $-6 \mathrm{~V}$
#3893391
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