13.關於半導體偵檢器的特性，下列敘述何者錯誤？
(A)必須配合使用光電倍增管，以放大訊號
(B)操作時必須使用液態氮冷卻，方能增加偵測正確性
(C)Ge(Li)比Si(Li)有較高偵測效率
(D)產生一離子對所需的能量比游離腔為小

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統計： A(666), B(331), C(70), D(96), E(0) #966250

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#3163867
(A)錯 閃爍偵檢器才要
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私人筆記#6738406
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