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99年 - 99 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47090
> 試題詳解
14 下列有關場效應電晶體臨限電壓(threshold voltage)Vt的敘述,何者正確?
(A)n通道空乏型(depletion type)及n通道增強型(enhancement type)的V
t
都為正值
(B)n通道空乏型及n通道增強型的V
t
都為負值
(C)p通道空乏型及n通道增強型的V
t
都為負值
(D)p通道空乏型及n通道增強型的V
t
都為正值
答案:
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統計:
A(9), B(2), C(5), D(74), E(0) #1214055
詳解 (共 1 筆)
ng10538
B1 · 2020/02/23
#3795878
P通道空乏型的Vgs設計為正,相對應需大...
(共 89 字,隱藏中)
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相關試題
15 如圖示電路,n 通道增強型(enhancement type)場效應電晶體工作於: (A)截止區(cut-off region) VDD=10V (B)歐姆區(ohmic region) (C)飽和區(saturation region) 1kΩ (D)無法決定
#1214056
16 對MOSFET而言,當VGS = 0 時,有通道存在的是: (A)增強型 PMOSFET (B)增強型 NMOSFET (C)增強型 CMOSFET (D)空乏型 NMOSFET
#1214057
17 下列有關場效應電晶體放大器之敘述,何者正確? (A)共源極(common source)放大器之頻寬甚大於共閘極(common gate)放大器之頻寬 (B)共源極放大器之電壓增益甚大於共閘極放大器之電壓增益 (C)共汲極(common drain)放大器之輸出阻抗小於共源極及共閘極放大器之輸出阻抗 (D)共汲極放大器之電壓增益大於一
#1214058
18 在 npn 射極隨耦器(Emitter follower)中,那一個端點接最正電壓? (A)集極(Collector) (B)源極(Source) (C)閘極(Gate) (D)基極(Base)
#1214059
19 今比較兩個利用電流源產生偏壓之MOSFET放大器電路如圖 1 與圖 2 所示。其中,輸入信號由電晶體Q1的 閘極端饋入,偏壓VBIAS1、VBIAS2使電晶體Q1、Q2均保持在飽和區內工作。則圖 1 中電晶體Q2所提供的額外 作用不可能是下列何者? (A)提高電壓增益 (B)提高輸入阻抗 (C)提高高頻響應的頻寬 (D)提高電壓增益與響應頻寬的乘積(gain-bandwidth product)
#1214060
20 今有一BJT放大器電路的小信號電路如圖所示,已知rπ = 2.6 kΩ、β = 100、忽略爾利(Early)效應。今定義 vo 開路電壓增益(open-circuit voltage gain) 。則Avo最接近的增益值為: (A)-160 V/V (B)條件不足 (C) 20 V/V (D) 50 V/V
#1214061
21 雙極性接面電晶體所構成的基本放大器電路組態中,輸出阻抗最低者為: (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共源極組態
#1214062
22 下圖關於功率(Power)放大器電路輸出波形種類的敘述何者正確? (A) A 類放大器 輸出電流 (B) B 類放大器 (C) AB 類放大器 (D) C 類放大器
#1214063
23 在下列MOSFET放大器串接組態中,何者之輸入電阻Ri為最小? (A) CS-CS 放大器 (B) CG-CD 放大器 (C) CD-CS 放大器 (D) CS-CG 放大器
#1214064
24 一個 BJT 做線性放大器使用時,需工作於: (A) 截止區(Cut-off region) (B)主動區(Active region) (C)飽和區(Saturation region) (D)夾止區(Pinch-off region)
#1214065
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