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身心障礙升大專-(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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108年 - 108 身心障礙學生升學大專校院甄試試題_四技二專組_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一):電子學、基本電學#145090
> 試題詳解
14.金氧半場效電晶體(MOSFET)構造上的端點,除了汲極和閘極外, 尚有哪一項?
(A)源極
(B)射極
(C)集極
(D)基極
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相關試題
15.有一個N通道增強型MOSFET,其源極電壓VS=1V、汲極電壓 VD=1.5V、臨界電壓Vt=1V,下列哪一個閘極電壓可以使此電晶體操作於飽和區? (A)1.8V (B)2.3V (C)2.8V (D)3.3V
#4046383
16.已知N通道增強型MOSFET工作於飽和夾止區,其臨界電壓Vt=1V、 閘源電壓VGS=3V和K=0.25mA/V2,試求小信號互導參數gm=? (A)0.25mA/V (B)0.5mA/V (C)0.75mA/V (D)1mA/V
#4046384
17.有關MOSFET共汲極放大電路,下列敘述何者正確? (A)輸出電阻很大 (B)輸入電阻很小 (C)電壓增益大於1 (D)輸出訊號和輸入訊號同相位
#4046385
18.一個運算放大器的共模增益Ac=0.05,差模增益Ad=5000,試求其共模拒斥比為多少dB? (A)50dB (B)75dB (C)100dB (D)125dB
#4046386
19.非反相放大器中,R1為反相輸入端至接地端的電阻,Rf為反相輸 入端至輸出端的電阻,下列何者是其輸出電壓與輸入電壓的關係式? (A)\( \frac{V_o}{V_i} = \# \frac{R_f}{R_1} \)(B)\( \frac{V_o}{V_i} = 1 + \frac{R_f}{R_1} \)(C)\( \frac{V_o}{V_i} = \# - 1 \)(D)\( \frac{V_o}{V_i} = \# \frac{R_1}{R_f} \)
#4046387
20.下列的正弦波振盪器,哪一個最適合在低頻操作? (A)韋恩電橋振盪器 (B)考畢子振盪器 (C)哈特萊振盪器 (D)石英晶體振盪器
#4046388
21.一個直流5V電壓源供給照明負載,負載平均電流為2A,此負載工作10分鐘會消耗多少焦耳能量? (A)10 (B)100 (C)6000 (D)36000
#4046389
22.色碼電阻由左而右分別是黃色、紫色、紅色、銀色,此電阻可能的電阻值為多少歐姆? (A)3600 (B)4700 (C)36000 (D)47000
#4046390
23.下列4種金屬哪一種導電性最好? (A)銀 (B)鐵 (C)銅 (D)金
#4046391
24.有一個電壓源由理想電壓源5V串聯內阻0.1歐姆組成,供給兩個並聯負載,負載A電阻4歐姆、負載B電阻6歐姆,此電壓源供給多少安培電流? (A)0.5 (B)1 (C)1.5 (D)2
#4046392
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