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111年 - 111 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#107787
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14. 關於達靈頓(Darlington)電路之敘述,下列何者有誤?
(A)可用NPN及PNP電晶體混合組成
(B)輸入阻抗很高
(C)電流增益小於1
(D)可用兩電晶體組成
答案:
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統計:
A(4), B(10), C(103), D(2), E(0) #2917086
詳解 (共 1 筆)
阿中-絕不開分身按讚
B1 · 2022/05/11
#5453735
14、達靈頓電路特性: 1、高電流增益...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/03
私人筆記#7609100
未解鎖
✅ 解題解析:Darlington 電...
(共 324 字,隱藏中)
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相關試題
15. 如下圖所示疊接(Cascode)放大器,相較於共源(CS)放大器,下列何者有誤? (A)輸入電阻大約相同 (B)電晶體偏流大約相同 (C)頻寬大約相同 (D)電壓增益大約相同
#2917087
16. 於主動區工作之電晶體電流增益α = 0.95,若射極電流 = 10 mA,漏電流 = 5 μA,試求其集極電流值為何? (A) 9.005 mA (B) 9.505 mA (C) 10.005 mA (D) 10.505 mA
#2917088
17. 未加偏壓之 BJT,其物理特性之敘述,下列何者有誤? (A)各極的寬度: (B)各極的電阻係數:E<B<C (C)接面的電容量: (D)接面的空乏區寬度:
#2917089
18. 有一增強P通道MOSFET,已知臨界電壓VT= -2.5,若汲極電壓VD= 4 V,源極電壓VS= 8 V, 直流閘極電壓VG= 3 V,試問其MOSFET應處於何種工作區? (A)飽和區 (B)歐姆區 (C)截止區 (D)逆向工作區
#2917090
19. 在一N通道增強型MOSFET共源極放大電路中,其中MOSFET之= 2 V,K= 2 mA/V2,若要使 MOSFET工作於飽和區,以獲得= 18 mA時,試求其電壓為何? (A) 2 V (B) 3 V (C) 5 V (D) 9 V
#2917091
20. 如下圖所示電路,其中Q1與Q2的臨界電壓分別為 1 V和 -1 V時,Q1、Q2 工作狀態為何? (A) Q1工作在歐姆區、Q2工作在截止區 (B) Q1與Q2皆工作在截止區 (C) Q1工作在截止區、Q2工作在歐姆區 (D) Q1與Q2皆工作在歐姆區
#2917092
21. 一共基極放大器,在室溫下之熱電壓 = 26 mV,已知其電壓增益為20,若直流工作點 = 2 mA,試求其小訊號電阻為何? (A) 13 Ω (B) 26 Ω (C) 40 Ω (D) 52 Ω
#2917093
22. 某矽製二極體之PN接面於5 ℃時,其逆向飽和電流為5 nA,當此PN接面溫度上升至35 ℃時, 試求其逆向飽和電流為何? (A) 50 nA (B) 40 nA (C) 30 nA (D) 20 nA
#2917094
23. 如下圖所示,當= 5 V,試求其值為何? (A) -4 V (B) -2 V (C) 5 V (D) 10 V
#2917095
24. 如下圖所示共源極放大器,若場效應電晶體參數= 30 KΩ,= 2 mA/V, 試求其電路的中頻電壓增益為何? (A) -60 V (B) -20 V (C) -15 V (D) 15 V
#2917096
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