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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#35747
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15 電晶體的高頻模型是於電晶體低頻小訊號模型中加入:
(A)電晶體內部的電容效應
(B)電晶體內部的電阻效應
(C)電晶體內部的相依電流源效應
(D)電晶體內部的相依電壓源效應
答案:
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統計:
A(212), B(13), C(23), D(4), E(0) #1028667
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/02
#2166490
影響高頻響應的是 極際電容極際電容 為 ...
(共 32 字,隱藏中)
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13
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/04
私人筆記#7613979
未解鎖
✅ 解題解析:電晶體的高頻模型 ?...
(共 314 字,隱藏中)
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16 關於二極體接面之崩潰效應,下列敘述何者正確? (A)相較於雪崩式崩潰(Avalanche Breakdown),曾納崩潰(Zener Breakdown)發生之電壓較高 (B)雪崩式崩潰與曾納崩潰為順向偏壓過大所造成 (C)相較於雪崩式崩潰,曾納崩潰發生在 PN 接面濃度較高之二極體 (D)穩壓二極體多採用雪崩式崩潰效應
#1028668
17 有一波德圖(Bode Plot)線段斜率為 20 dB/decade,即每 10 倍頻率產生 20 dB 的變化,今欲以 dB/octave 表示,亦即每 2 倍頻率的變化量,請計算換算的結果最接近那個值? (A)2 dB/octave (B)4 dB/octave (C)6 dB/octave (D)8 dB/octave
#1028669
18 若運算放大器反相積分器之輸入訊號為方波,則輸出波形為: (A)三角波 (B)方波 (C)餘弦波 (D)正弦波
#1028670
19 在共射(CE)、共基(CB)、共集(CC)、疊接(Cascode)放大器組態中,具有最小頻寬的是: (A)共射放大器 (B)共基放大器 (C)共集放大器 (D)疊接放大器
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20 通常 P 通道增強型 MOSFET 用為放大器時,閘源極間電壓 VGS必須加: (A)正電壓 (B)負電壓 (C)零 (D)浮接(Floating)
#1028672
21 在室溫下工作在主動模式之 BJT 電晶體,其集極電流 IC=2.5 mA,則其轉導(Transconductance)參 數 gm約為: (A)2.5 mA/V (B)10 mA/V (C)25 mA/V (D)100 mA/V
#1028673
22 某光檢測用光二極體的量子效率為 1,其接面面積 2×10-2 cm2 ,而入射光子通量為 5×1017 cm-2-s-1。已 知電子電量為 1.6×10-19庫倫,則此光二極體所產生之光電流為多少? (A)0.8 mA (B)1.2 mA (C)1.6 mA (D)2.0 mA
#1028674
23 在邏輯電路製作上,下列何者不是 CMOS 技術的優點? (A)低消耗功率 (B)可高積體密度 (C)可藉由電荷累積來記憶資訊 (D)高電流驅動能力
#1028675
24 下圖為理想運算放大器電路,假設運算放大器的電源電壓為 ± 10 V,則電路中 vO輸出為多少? (A)-2 V (B)-1 V (C)0 V (D)2 V
#1028676
25 如下圖所示之理想運算放大器電路,其中 AO=∞,求此電路之電壓增益為何? (A)1 (B)2 (C)3 (D)4
#1028677
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