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101年 - [無官方正解]101 國立嘉義大學_電子物理學系光電暨固態電子碩士班(甲組)招生考試試題：電子學#146327
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15. 要使P通道增強型的MOSFET導通，其閘極偏壓應為
(A) 正電壓
(B)負電壓
(C)正、負電壓均可
(D)零。
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B1 · 2026/10/15
#7587713
這題在考什麼觀念 MOSFET 的通道...
(共 1019 字，隱藏中）
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3.欲使 P 通道增強型 MOSFET 導通，其閘極偏壓Vgs 應加(A)正電壓(B)負電壓(C)正、負電壓均可(D)零電壓。
#1107614
3. 欲使 P 通道增強型 MOSFET 導通，其閘極偏壓 Vgs應加 (A)正電壓 (B)負電壓 (C)正、負電壓均可 (D)零電壓 。
#3708973
15. 要使 P 通道增強型的 MOSFET 導通，其閘極偏壓應為(A) 正電壓 (B)負電壓 (C)正、負電壓均可 (D)零。
#4063150
16. 某一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 \( V_{th} = 3V \)，試計算在 \( V_{GS} = 10V \) 的互導值為 \( K = 0.3 \, \text{mA/V}^2 \) (A) 4.2 (B) 3 (C) 2.1 (D)1.8 。
#4063183
圖五的電路為 N 通道空乏型 MOSFET 的偏壓電路，設 MOSFET 的 \( I_{DSS} = 9\text{mA} \)，\( V_p = -4.5\text{V} \)，則直流偏壓值為 (A) \( V_{GS} = 4.5\text{V} \)，\( I_D = 9\text{mA} \) (B) \( V_{GS} = -4.5\text{V} \)，\( I_D = 4.5\text{mA} \) (C) \( V_{GS} = 0\text{V} \)，\( V_{DS} = 18.6\text{V} \) (D) \( V_{GS} = 0\text{V} \)，\( V_{DS} = 13.2\text{V} \)
#4063184
18. 一功率放大器的輸入功率為1W，若其功率增益為20dB，則此放大器之輸出功率為 (A) 10 (B) 20 (C) 100 (D) 200 W。
#4063185
19. 如圖六所示，其輸出阻抗為 (A) 等於 \( 100\text{k}\Omega // 100\text{k}\Omega \) (B) 等於 \( 1\text{ k}\Omega \) (C) 大於 \( 1\text{ k}\Omega \) (D) 甚小於 \( 1\text{ k}\Omega \)。
#4063186
如圖七所示，\( Q_1 \) 與 \( Q_2 \) 為匹配(matched)之電晶體且皆操作於作用區(active region)，而 \( \beta_1 = \beta_2 = \beta \)，求 \( \frac{I_o}{I_{ref}} = \) (A) \( \frac{1}{1+\beta^2} \)(B) \( \frac{1}{1+\beta} \)(C) \( \frac{1}{1+\frac{2}{\beta^2}} \)(D) \( \frac{1}{1+\frac{2}{\beta}} \)
#4063187
1. 以下哪些敘述是對的？ (A) Quick sort 在Worst case時，不只時間複雜度變大，連空間複雜度也變大為O(n)。 (B) Merge sort適用在大量(多筆)資料的排序。 (C) Insertion sort適合少量資料的排序，因為程式碼很簡短、且只需要O(1)的記憶體空間。 (D) Table sort可以避免過多的資料搬移，因此適合每筆資料都很大的狀況下使用。 (E) Heap sort雖然比Merge sort速度稍慢，但好處是耗費記憶體較少。 (5分)
#4063188
1.甲公司發行股票換取機器設備，在現金流量表中應表達為下列何者？ (A)投資活動之現金流量 (B)籌資活動之現金流量 (C)不影響現金流量之重大投資及籌資活動 (D)同時列為投資活動及籌資活動之現金流量
#4063189
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