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初等/五等/佐級◆電子學大意
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112年 - 112 鐵路、國家安全情報特種考試_佐級、五等_電子工程、電子組:電子學大意#114944
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20一雙極性接面電晶體(BJT)偏壓於工作區後,測得 I
B
= 0.01 mA、I
E
= 1.01 mA,下列敘述何者正確?
(A) β = 99
(B) I
C
= 1.02 mA
(C) β = 50
(D) α~0.99
答案:
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統計:
A(3), B(1), C(4), D(27), E(0) #3118398
詳解 (共 1 筆)
MoAI - 您的AI助手
B1 · 2025/11/09
#7059114
1. 題目解析 這道題目是關於雙極性接面...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/09/30
私人筆記#7469342
未解鎖
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21有一如圖之 BJT 電路,若 β→∞,VCC = 10 V,VBE1 =VBE2=VBE3 = 0.7 V,R1 = R2 = 8.6 kΩ,RE = 10 kΩ, 則 IO 應為何? (A) 0.1 mA (B) 0.2 mA(C) 0.5 mA(D) 1 mA
#3118399
22圖示電路,若 VCC = 9 V、RC = 2 kΩ、RB = 100 kΩ,電晶體之 β= 100,VBE = 0.7 V,今若電晶體工作 在主動區(active region)與飽和區(saturation region)之交界;VCE(sat)=0.2 V,則電壓 VBB 約為何? (A) 3.6 V(B) 4.2 V (C) 5.1 V (D) 6.5 V
#3118400
23使用一增強型 PMOS 電晶體設計如圖的電路,此電晶體之 VTH= -1 V,μpCOX(W/L)=2 mA/V2,其 VGS電壓為何? (A)-1.5 V(B)-2 V (C)-2.5 V (D)-3 V
#3118401
24圖示 MOS 場效電晶體電路,電晶體之 Vt = 1 V、μnCox(W/L)= 2 mA/V2,欲電晶體在飽和區工作, 電阻 RD 的最大值約為何? (A) 10 kΩ (B) 16 kΩ (C) 20 kΩ (D) 24 kΩ
#3118402
25假設一 N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓 VTH= 2 V,若 VGS = 4 V 時且工作於飽和區之汲極電流 ID = 1.2 mA,VGS = 5 V 時的互導值 gm 約為何? (A) 1.8 mA/V (B) 2.2 mA/V (C) 2.4 mA/V (D) 2.6 mA/V
#3118403
26假設一 NPN 電晶體的 β 值等於 100、熱電壓 VT = 25 mV、集極電流 IC = 2 mA,電晶體的射極電阻 re 約為何? (A)8Ω(B) 10.5 Ω (C) 12.4 Ω(D) 14.3 Ω
#3118404
27圖中放大器電路中電晶體的 β=99、VA=100 V,熱電壓 VT = 0.025 V,放大器增益 vo/vi 的最接近值為何? (A) 96(B) 106 (C) 116 (D) 126
#3118405
28圖示電路中的電容 CE 主要功用為何? (A)提升電壓增益 (B)濾去高頻雜訊(C)提升輸入阻抗 (D)頻率補償
#3118406
29有關共閘極放大器電路之特性,下列敘述何者錯誤? (A)優良的高頻響應特性 (B)具有很大的輸入電阻 (C)輸出電壓與輸入電壓同相 (D)電流增益值接近 1
#3118407
30有一放大器輸出 vo 為 5 V,輸入 vi 為 25 mV,試問電壓增益 Av = vo/vi 約為多少分貝(dB)? (A) 100 (B) 46 (C) 23(D) 200
#3118408
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