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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38796
> 試題詳解
20 一電流放大器電路如圖所示,含理想運算放大器,以及電阻R
1
、R
2
、R
L
。令R
2
=1 kΩ,欲得到電流 增益I
L
/I
IN
=10,則R
1
電阻值為何?
(A) 100 Ω
(B) 900 Ω
(C) 9 kΩ
(D) 10 kΩ
答案:
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統計:
A(5), B(3), C(77), D(8), E(0) #1108688
詳解 (共 2 筆)
leochan87
B1 · 2016/12/17
#1553179
因為 IL/IIN=10 ( IL=10...
(共 78 字,隱藏中)
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1
0
sv(邀請碼232196)
B2 · 2017/05/19
#2201546
IL=10ININ=IR1IR2(向上)...
(共 78 字,隱藏中)
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相關試題
21 如圖所示為兩級串接RC耦合放大器電路,電晶體Q1與Q2之參數為VBE1=VBE2=0.7 V,β1=β2=100,又Vcc =20 V且R1=R5=4 kΩ,R2=R6=1 kΩ,R3=R4=R7=R8=1 kΩ,當以直流分析此電路時,圖中IB1及 IE2之電流值約為? (A)IB1=0.03 mA且IE2=3.2 mA (B)IB1=0.19 mA且IE2=10 mA(C)IB1=0.19 mA且IE2=19 mA (D)IB1=2.2 mA且IE2=10 mA
#1108689
22 就差動放大器而言,下列何者為最好的共模增益? (A)-10 (B) 0 (C) 1 (D) 10
#1108690
23 關於雙極性接面電晶體(BJT)操作在主動區(Forward Active Region)之敘述,下列何者錯誤? (A)轉移電導增益值與集極電流IC成正比 (B)輸出阻抗ro與集極電流IC成正比 (C)基極到射極為順偏壓 (D)基極到集極為逆偏壓
#1108691
24 如圖之MOS電晶體放大器,設電晶體操作於飽和區,其輸出電阻ro極大,且轉移電導值。 則此放大器之小訊號電壓增益Vo/Vi約為: (A)gm RD (B)-gm RD (C)RD/RS (D)-RD/RS
#1108692
25 下列電路可以做為: (A)反相電路 (B)緩衝電路 (C)濾波電路 (D)整流電路
#1108693
26 圖中增強型N通道MOSFET的Vt=1 V,且工作點為VGS=4 V,ID=2.5 mA,VDS=5 V,則RD及RS分 別約為: (A) 2.5 kΩ、1.2 kΩ (B) 2.0 kΩ、0.8 kΩ (C) 1.6 kΩ、0.4 kΩ (D) 1.0 kΩ、0.2 kΩ
#1108694
27 當一MOS電晶體操作於飽和模式時,其轉移電導值gm與汲極電流ID的關係是(不考慮短通道效應):(A) gm ∝ I/1D (B) gm ∝ 1/√ID(C) gm ∝√ID (D) gm ∝ I1D
#1108695
28 下圖電晶體電路之集極工作電流ICQ約為何? (A) 10 mA (B) 8 mA (C) 2 mA (D) 1 mA
#1108696
29 在雙極性接面電晶體(BJT)的小訊號模型中,輸出電阻ro與集極電流Ic的關係為:(A)ro∝Ic (B)ro∝ (C)ro∝√Ic (D) ro 與 無關 Ic
#1108697
30 p+n二極體加逆向偏壓時,只有少量的電流存在,主要成因是: (A) n 區內的電洞電流 (B) n 區內的電子電流 (C)p+ 區內的電洞電流 (D)p+ 區內的電子電流
#1108698
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