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初等/五等/佐級◆電子學大意
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98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38822
> 試題詳解
20 圖為二級CMOS運算放大器。若電晶體都有相同的爾利電壓(Early Voltage,VA)為 100 V;且都設計在 相同的驅使電壓(Overdrive Voltage, VGS-VTH)為 0.2 V。此電路電壓增益A
d
=V
O
/(V
2
-V
1
)約為:
(A) 4×10
6
(B) 10
6
(C) 2.5×10
5
(D) 10
5
答案:
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統計:
A(2), B(4), C(26), D(4), E(0) #1109601
詳解 (共 2 筆)
李守正
B2 · 2018/10/12
#3029123
(共 1 字,隱藏中)
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leila52033
B1 · 2016/02/23
#1265994
請問這題怎算?謝謝
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21 圖示理想運算放大器電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ±12 V,輸入電壓vI為 1 V,則vO為 若干V? (A)-12 (B) 0 (C) 1 (D)+12
#1109602
22 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β(=Ic/Ib)為 210,以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,若是將電容器CE移除,則此放大器的電壓增益AV(=Vo/Vi)將如何變 化? (A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)降為零
#1109603
23 下圖 MOSFET 為 N 通道增強型,此電路工作功能為: (A) OR 閘 (B) NOR 閘 (C) AND 閘 (D) NAND 閘
#1109604
24 有一個P通道增強型MOSFET,其臨限電壓Vt=-2 V,假使其閘極(gate)接地且源極(source)接至 +5 V,欲使此元件正好進入飽和區(saturation region),則汲極(drain)之電壓為何? (A) 7 V (B) 5 V (C) 3 V (D) 2 V
#1109605
25 某差動放大器的共模增益ACM,差模增益Adm,下列何者有較佳的共模拒斥比(Common Mode Rejection Ratio)? (A)ACM=0.1、Adm=100 (B)ACM=0.1、Adm=1000 (C)ACM=1、Adm=100 (D)ACM=1、Adm=1000
#1109606
26 下圖電路中,二極體之作用為: (A)保護電晶體 (B)防止雜訊 (C)防止電流逆流 (D)溫度補償
#1109607
27 如圖所示之電路,當Vi=20 V時,Vo約多少伏特? (A) 20 (B) 15 (C) 12 (D) 10
#1109608
28 有關 ROM(Read Only Memory)的敘述,何者有誤? (A)為非揮發性記憶體 (B)可讀出及寫入資料 (C)只能讀出資料,無法寫入 (D)當電源關閉時,存在其中之資料不會消失
#1109609
29 圖中邏輯電路輸出信號(Y)之布林函數為何?
#1109610
30 圖中電路在中頻工作,rd為電晶體小訊號汲極端內阻,其中R、C(包含C1與C2)元件功能為: (A)C減低漣波,rd、Rs與Av放大率無關(B)C阻斷直流分量,Av約接近 1 (C)C阻斷直流分量,Av與rd成反比 (D)C減低漣波,Av與Rs成正比
#1109611
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