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107年 - 107 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#69650
> 試題詳解
20 如圖所示之電路,假設二極體為理想,則 v
o
之電壓為何?
(A)-20 V
(B) 40 V
(C)-60 V
(D) 80 V
答案:
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統計:
A(5), B(34), C(230), D(14), E(0) #1809674
詳解 (共 1 筆)
游政維
B6 · 2018/08/31
#2979731
電壓倍增器
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/23
私人筆記#7583874
未解鎖
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相關試題
21 如圖所示二極體電路,假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知電壓 vs(t)=12 sin(120 πt)V、R1=10 kΩ、 VDC=5 V。若 R2=20 kΩ,當輸入電壓 vS為 10 V 時,試求流經二極體 D 的電流值 iD約為多少? (A)0 mA (B)0.145 mA (C)0.285 mA (D)0.43 mA
#1809675
22 考慮一使用理想二極體之半波整流電路,二極體正向壓降為 VD,當輸入一振幅為 Vm 的正弦波電壓 時,其導通切入角度(cut-in angle)為多少? (A)sin-1(VD/Vm) (B) cos -1(VD/Vm) (C) tan-1(VD/Vm) (D) cot-1(VD/Vm)
#1809676
23 增強型 MOSFET 的 VT=2 V,K= ,VGS=4 V,VDS=1 V,則汲極電流 ID為何? (A)3 mA (B)6 mA (C)9 mA (D)12 mA
#1809677
24 請問如圖所示放大器之增益(Vo/Vi)為何?假設電晶體操作於主動區且 VT=25 mV。 (A)-20 (B)-30 (C)-40 (D)-50
#1809678
25 若雙極性電晶體(BJT)的 βIB=IC時,則電晶體操作在: (A)逆向崩潰區(reverse breakdown region) (B)截止區(cut-off region) (C)主動區(active region) (D)飽和區(saturation region)
#1809679
26 若 PNP 型電晶體操作在主動區且 IB=0.05 mA,IC=4.95 mA,則其 α 值為: (A)100 (B) 99 (C) 0.99 (D) 0.98
#1809680
27 圖中電晶體 M1 之 μnCox(W/L)=0.5 mA/V2 ,臨界電壓 VT=0.8 V,若忽略通道調變效應且 M1 維持操作在飽和區(saturation region),則 VB的最大值為何? (A)1.6 V (B)2.0 V(C)2.4 V (D)2.8 V.
#1809681
複選題28 在電晶體的小訊號 π 模型中,訊號的放大機制如何表示? (A)電流控制電壓源 (B)電流控制電流源 (C)電壓控制電壓源 (D)電壓控制電流源
#1809682
29 圖中信號源阻抗 RS=1 kΩ,轉導放大器輸入阻抗 Ri=1 kΩ,轉導增益 Gms=1 mA/V,輸出阻抗 Ro=10 kΩ,負載阻抗 RL=10 kΩ,則 vo/vs=? (A)5(V/V) (B) 2.5(V/V) (C)-5(V/V) (D)-2.5(V/V)
#1809683
30 如圖所示之電晶體工作在主動區,其輸出直流偏壓電流為 ICQ=3 mA,基極端之等效輸入電阻約為多 少?(R1=2 kΩ、R2=30 kΩ 且熱電壓 =25 mV)。 (A)30 kΩ (B) 15 kΩ (C)2 kΩ (D) 0. 5 kΩ
#1809684
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