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初等/五等/佐級◆電子學大意
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105年 - 105 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#52635
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20 若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍,可藉由下列的何種方式改變汲極電流 I
D
來達成?
(A)將 I
D
增為 4 倍
(B)將 I
D
增為 2 倍
(C)將 I
D
增為
倍
(D)將 I
D
減半
答案:
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統計:
A(178), B(46), C(21), D(14), E(0) #1329649
詳解 (共 1 筆)
leochan87
B1 · 2016/12/20
#1557278
轉導值 gm=2√KID→ID增為 4倍...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/28
私人筆記#7597697
未解鎖
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相關試題
21 有關 BJT 雙極性接面電晶體與 FET 場效電晶體的一般特性比較,下列何者錯誤? (A)BJT 的轉導(Transconductance)gm比 FET 的轉導大 (B)BJT 的輸出電阻 ro比 FET 的輸出電阻小 (C)BJT 的本質增益(Intrinsic Gain)A0比 FET 的本質增益大 (D)BJT 的輸入阻抗 Ri比 FET 的輸入阻抗小
#1329650
22 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,輸出 阻抗(ro)為 10 kΩ,試求 Vo/Vi=? (A)-2.5 (B)-5 (C)-10 (D)-20
#1329651
23 圖示電路,若電晶體 β=100,VBE(on)=0.7 V,電流 IC約為若干 mA? (A) 0.2 (B)0.4 (C)0.7 (D)1.3
#1329652
24 P 通道空乏型 MOSFET 閘極加上正電壓時,其通道導通程度會: (A)減小 (B)加大 (C)無影響 (D)不一定
#1329653
25 如圖電路,設電晶體的 β=100,VBE=0.7 V,則 IC電流約為: (A)19.6 mA (B)9.3 mA (C)0.1 mA (D)0 mA
#1329654
26 圖示放大器電路中的電阻 Re主要功用為何? (A)降低輸出阻抗 (B)提升電壓增益 (C)提高輸入訊號的線性放大範圍 (D)頻率補償
#1329655
27 在 BJT 的小訊號參數中,下列那一個關係式錯誤? (A)re=VT/IE (B)rπ=VT/IB (C)gm=IC/VT (D)ro=VT/IC
#1329656
28 如圖所示之電路,假設 BJT 電晶體操作在順向主動區,忽略爾利(Early)效應,IC=1 mA,VT=26 mV, β=100,Cπ=100 fF,Cμ=20 fF,且 CCS=30 fF,採用米勒(Miller)趨近法,求於 BJT 輸入端之極點 頻率為何? (A)516 MHz (B)616 MHz (C)716 MHz (D)816 MHz
#1329657
29 如圖所示之電路,若忽略元件本身之寄生電容,下列敘述何者錯誤? (A)該電路為高通放大器 (B)增加 Ib有助於降低低頻-3 dB 頻率(ωL ) (C)Cc增加有助於降低低頻-3 dB 頻率(ωL ) (D)該電路為同相放大器
#1329658
30 如圖所示之理想運算放大器電路, ,求ωn 為何? (A)10K rad/s (B)50 K rad/s (C)100K rad/s (D)200 K rad/s
#1329659
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