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113年 - 電子元件拆銲學科300題 201-250#123541
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208 導電係數為電通密度與電場強度的
(A) 比值
(B) 負值
(C) 正值
(D) 平方。
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統計:
A(17), B(3), C(0), D(0), E(0) #3340627
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/10/06
#6849926
1. 題目解析 在物理學中,導電係數(...
(共 866 字,隱藏中)
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209 電路上有某一電阻其阻值為 2k而其上流通 10mA 的電流,則此電阻消耗功率為多少瓦特(W)?(A) 0.2 (B) 0.4 (C) 0.05 (D) 2。
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210 電晶體放大電路中,下列何者是影響放大器高頻響應的主因?(A) 反耦合電容 (B) 耦合電容 (C) 射極旁路 電容 (D) 電晶體的極際電容。
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211 下列那一個元件可以用來作為壓力轉換為電壓的感測器?(A) 石英(Quartz) (B) 壓變電容器(Varactor) (C) 霍爾(Hall)元件 (D) PT 100。
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212 某一開集極 TTL 閘被用來驅動一個 LED,若 LED 的額定電流為 10 mA,VCC 電源電壓 5V ,LED 順向偏壓 1.5 V,TTL 閘的低態輸出電壓為 0.2 V,則應選擇多少歐姆之限流電阻?(A) 165Ω(B) 220Ω(C) 330Ω(D) 470Ω。
#3340631
213 下列各半導體元件中, 具有負電阻特性的是?(A) 場效應電晶體 (B) 變容二極體 (C) 透納二極體 (D) 稽 納二極體。
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214 安全電流為最大負載電流的幾倍?(A) 1.5 (B) 2 (C) 2.5 (D) 3。
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215 內部損耗大、靜電容量誤差大、漏電流大、長期使用漏電流增大、容量降低的是?(A) 鋁電解電容器 (B) 鉭 電解電容器 (C) 陶瓷電容器 (D) 金屬化聚乙酯膜電容器。
#3340634
216 下列有關 CMOS 反(NOT)閘之描述何者正確?(A) 含有兩個 NMOS FET (B) 含一個 PMOS FET 及一個 NMOS FET (C) 由 PNP 電晶體與 NMOS FET 所構成(D) 由 NPN 電晶體與 PMOS FET 所構成。
#3340635
217 為了增加 TTL 扇出數(fan-out) 可採用下列何種方法?(A) 加入提升(pull-up) 電阻於輸出端 (B) 加入下拉 (pull-down)電阻於輸入端 (C) 增加電源電壓 (D) 將下級元件改為 PNP 基極輸入形態元件。
#3340636
218 蕭特基(Schottky) TTL 能提高速度是因為它的什麼特性?(A) 提高電流供給以減小充電時間 (B) 工作在線性 區 (C) 具有對稱結構以減小電容量 (D) 提供迴授路徑降低電容量。
#3340637
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