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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 初等考試_電子工程:電子學大意(重複)#47545
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21 關於圖中電路之轉移函數,下列敘述何者錯誤?
(A)此為低通濾波器
(B)其低頻增益為 1
(C)其頻寬約為 10
6
rad/sec
(D) R 越大則其頻寬越窄
答案:
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統計:
A(1), B(5), C(45), D(4), E(0) #1227963
詳解 (共 2 筆)
nymphoiept
B1 · 2018/12/13
#3112825
(A)此為低通濾波器無誤。(B)把C開路...
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13
0
Nan
B2 · 2019/12/09
#3706437
BW=1/RC=10^9 rad/sec...
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22 圖為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load)。 若電晶體都有相同的爾利電壓(Early Voltage,VA)100V;且都設計 在相同的驅使電壓(Overdrive Voltage,VGS-Vt)0.2V,Vt為臨限電壓。 Vo 則此電路的共模電壓增益(Common Mode Voltage Gain,Acm)約為: (A)-2×10-3 (B)-10-3 (C)-5×10-4 (D)-2.5×10-4
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23 雙極性接面電晶體(BJT)中,下列何種電路組態其電壓增益(Av)及電流增益(Ai)均遠大於 1? (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態
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24 圖示理想運算放大器電路,若R1=2kΩ、R2=6kΩ、 R3=10kΩ、R4=10kΩ,今輸入訊號v1=v2=1V,則 輸出電壓vO為若干V? (A)-6 (B)-4 (C)-1 (D)1
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25 以下各種場效電晶體,何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定值? (A) VMOSFET (B) JFET (C)空乏型 MOSFET (D)增強型 MOSFET
#1227967
26 圖中N通道增強型MOSFET的Vt=1V,則其工作於: (A)三極管區(Triode Region) (B)飽和區(Saturation Region) (C)截止區(Cut-off Region) (D)主動區(Active Region)
#1227968
27 求圖中基-射極接面迴路中的電流IB為:
#1227969
28 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點閘源極電壓VGS為-2.6V,汲極電流ID為 2.6mA,IDSS為 8mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)Vp為-6V,不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗rd的影響,則此放大器的輸出阻抗Zo約為多少? (A) 1kΩ (B) 4.7kΩ (C) 47kΩ (D) 680kΩ.
#1227970
29 若電晶體工作在基-射極接面為順偏,基-集極接面為逆偏下,已知IC=1.99mA及IE=2mA,則IB及 β值分別為: (A) 0.01mA、199 (B) 0.01mA、0.995 (C) 3.99mA、199 (D) 3.99mA、0.995
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30 EPROM 將記憶體單元中的資料清除,是採用: (A)通道抹除法清除 (B)源極抹除法清除 (C)汲極抹除法清除 (D)紫外線清除
#1227972
31 PN 接面二極體,若以接面處為界,在 P 型側空乏區內的電荷為: (A)正電荷 (B)負電荷 (C)電中性 (D)視雜質濃度而定
#1227973
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