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初等/五等/佐級◆電子學大意
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103年 - 103 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#18075
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22 下列那一項為影響放大器低頻響應的主要因素?
(A)使用的電晶體型式
(B)放大器的負載電容
(C)放大器的電壓增益
(D)放大器中的耦合電容
答案:
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統計:
A(7), B(53), C(3), D(149), E(0) #668217
詳解 (共 1 筆)
大家加油.一起努力(已上榜)
B1 · 2017/06/12
#2263569
影響平率有分影響高頻跟低頻看得見的電容 ...
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13
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/20
私人筆記#7654754
未解鎖
放大器低頻響應的主要影響因素解析 在放...
(共 349 字,隱藏中)
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23 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點(Operating Point)閘源極電壓 VGS為-2.6 V, 汲極電流 ID為 2.6 mA,IDSS為 8 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP為-6 V,則此放大器的輸入阻 抗 Zi約為多少? (A)470 kΩ (B)680 kΩ (C)1 MΩ (D)1.8 MΩ
#668218
24 圖示雙極性接面電晶體(BJT)電路,電晶體 β = 100,VBE = 0.7 V,當電路處最佳工作點,則電阻 RB約為若干 kΩ? (A)115 (B)230 (C)460 (D)575
#668219
25 關於 MOSFET 電晶體之輸出阻抗,下列敘述何者錯誤? (A)相同電流且寬長比(W / L)相同之條件下,通道長度越長輸出阻抗越大 (B)固定元件尺寸之條件下,電流越大輸出阻抗越大 (C)電晶體操作在飽和區(saturation)時之輸出阻抗較操作在三極管區(triode region)時之輸出阻抗大 (D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成
#668220
26 已知一 BJT 電晶體之 β = 100,gm = 0.01 A / V,求圖中電路之 Rin值? (A)1 kΩ (B)10 kΩ (C)100 kΩ (D)500 kΩ
#668221
27 如圖電路所示,若電晶體參數 β = 100,Cμ = 2 pF,Cπ = 6 pF,則其高頻-3dB 頻率約為多少 kHz? (A)110 (B)220 (C)330 (D)550
#668222
28 下列對於 MOSFET 共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中,何者錯誤? (A)低-3 dB 頻率與電晶體內部電容無關,而是與外部電容有關 (B)高-3 dB 頻率受到米勒效應的影響而變大 (C)當外部電容愈大,低-3 dB 頻率愈小 (D)在場效電晶體內部電容中,Cgd 對於高-3 dB 頻率的影響最大
#668223
29 一般 MOSFET 單級放大器架構中,小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種? (A)共源極(B)共汲極(C)共閘極(D)具源極電阻之共源極
#668224
30 如圖所示一放大器,外接電容為 CC1、CC2和 CS,MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和 Cgd。有關此放大器 電路在中頻的增益(Mid-band gain),下列敘述何者正確? (A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受 MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)均不受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響
#668225
31 下列為一被動式濾波器(Passive filter)。試問此電路轉移函數(Transfer function)T(s)≡VO / Vi的數 學形式為何?
#668226
32 下列何者可產生方波? (A)考畢子(Colpitts)振盪器 (B)無穩態多諧振盪器(Astable Multivibrator) (C)雙穩態多諧振盪器(Bistable Multivibrator) (D)韋恩橋式(Wien Bridge)振盪器
#668227
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