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初等/五等/佐級◆電子學大意
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93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254
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23 傳統 CMOS 的功率消耗(Power dissipation)敘述何者正確?
(A)靜態功率消耗很大
(B)靜態功率消耗≈ 0
(C)動態功率消耗≈ 0
(D)動態功率消耗和頻率成反比
答案:
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統計:
A(2), B(43), C(7), D(4), E(0) #677836
詳解 (共 2 筆)
Rascal
B1 · 2021/09/01
#5057291
理想CMOS靜態功率為0動態功率 P =...
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MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/11/29
#7172182
這是一道關於 CMOS(互補式金屬氧化物...
(共 1918 字,隱藏中)
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相關試題
24 若 NMOS 及 PMOS 之門檻(threshold)電壓分別為 VTN及 VTP,CMOS 傳輸(Transmission)閘傳遞邏輯-0 及邏輯-1 之電壓值為何? (A)邏輯-0=VDD,邏輯-1=0 (B)邏輯-0=VTN,邏輯-1=VDD (C)邏輯-0=0,邏輯-1=VDD (D)邏輯-0=VTN,邏輯-1=VDD-|VTP|
#677837
25 加強型(Enhancement)NMOS 及加強型 PMOS 之門檻(threshold)電壓分別為 VTN及 VTP,下列敘述何者 正確? (A)VTN>0 及 VTP>0 (B)VTN>0 及 VTP<0 (C)VTN<0 及 VTP>0 (D)VTN<0 及 VTP<0
#677838
26 二級之積體電路運算放大器,其頻率補償電路跨接何級? (A)輸出級(B)輸入級(C)偏壓級(D)短路保護電路
#677839
27 下圖為用於變換電容(Switched Capacitor)濾波器之電路,時脈 1 和時脈 2 關係為何? (A)時脈 1 和時脈 2 頻率相同、可重疊 (B)時脈 1 和時脈 2 頻率相同、不可重疊 (C)時脈 1 和時脈 2 無關 (D)時脈 1 和時脈 2 頻率不相同
#677840
28 有關放大器輸出穩定時,極點和 S 平面的關係何者正確? (A)極點落在 S 平面第二、三象限(左半面) (B)極點落在 S 平面第一、四象限(右半面) (C)極點落在 S 平面 jω 軸上 (D)極點落在 S 平面σ 軸上
#677841
29 若 NMOS 場效電晶體(FET)之汲極源極電壓 VDS>閘極源極電壓 VGS>門檻(threshold)電壓 Vth,下列何 者正確? (A)電晶體操作在非飽和區(B)電晶體操作在飽和區 (C)電晶體截止(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處
#677842
30 關於場效電晶體(FET)之閘極電容的敘述,下列何者正確? (A)與場效電晶體(FET)閘極之通道長度成反比 (B)與場效電晶體(FET)閘極之通道寬度成反比 (C)與場效電晶體(FET)閘極之通道面積成反比 (D)與場效電晶體(FET)閘極之通道面積成正比
#677843
31 將一電容值為 C 的電容跨接於增益為 A 的放大器輸出端及輸入端,其等效輸入米勒(Miller)電容值為何? (A, C>0) (A)C(1+A) (B)C(1-A) (C)C(1 +1/A) (D)C(1-1/A)
#677844
32 下列場效電晶體(FET)之反向器(Inverter)的負載,何者有最大汲極(Drain)平均電流? (A)電阻 (B)加強型(Enhancement)PMOS (C)乏型(Depletion)NMOS (D)加強型 NMOS
#677845
33 加強型(Enhancement)NMOS 之門檻(threshold)電壓為 VTN,則加強型 NMOS 負載的場效電晶體(FET) 反向器(Inverter)之正常輸出電壓為下列何者? (A)VDD(B)VDD-VTN(C)0(D)VTN
#677846
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