24. 本質半導體摻入下列何項雜質元素，即可成為P型半導體？
(A)磷
(B)砷
(C)銻
(D)硼

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統計： A(1), B(0), C(0), D(7), E(0) #3893393

相關試題

25. 雙極性接面電晶體工作於主動區之 $\alpha = 0.99$，其β值為何？ (A) 99 (B) 199 (C) 200 (D) 201

26. 有關稽納二極體之敘述，下列何者正確？ (A)稽納崩潰時其稽納電壓為負溫度係數 (B)累增崩潰時其稽納電壓為負溫度係數 (C)累增崩潰是由於電場效應增強所引發 (D)稽納崩潰是由於熱效應增強所引發

27. 有關發光二極體(LED)元件之敘述，下列何者正確？ (A)逆向偏壓下才能發光 (B)順向電流大小決定發光顏色 (C)發光強度與順向電流成反比 (D)順向偏壓下電子和電洞復合時釋出能量發光

28. 有關半導體之敘述，下列何者正確？ (A)當溫度升高時本質半導體的電阻會變大 (B)外質半導體內電洞與自由電子的濃度相同 (C)P型半導體內電洞載子濃度約等於受體濃度 (D)N型半導體內總電子數大於總質子數

29. 有關整流濾波電路之敘述，下列何者正確？ (A)整流濾波電路之負載愈大，輸出漣波電壓愈大 (B) $\pi$ 型濾波電路之L值愈大，波形因數愈大 (C) RC濾波電路之負載相同時電容值愈大，輸出漣波電壓愈大 (D)全波整流電路之輸出漣波頻率與交流電源頻率相同

30. 雙極性接面電晶體(PNP)操作於B-E接面逆偏，B-C接面順偏下，屬於下列何種區域？ (A)順向主動區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)反向主動區

31. 有關BJT三種基本組態放大器(CE、CB、CC)之特性比較，下列敘述何者有誤？ (A)共射極(CE)放大器之功率增益為三者中最大，且其輸出、輸入電壓訊號相位相反 (B)共基極(CB)放大器之電流增益略小於1，具有高頻響應良好之特性 (C)共集極(CC)放大器之電壓增益略小於1，且其輸入阻抗為三者中最高 (D)共射極(CE)又稱為射極隨耦器

32. 一N通道增強型MOSFET之臨界電壓 $V_{\mathrm{T}} = 2 \mathrm{~V}$，當工作於飽和區且開一源極間電壓 $V_{\mathrm{GS}} = 4 \mathrm{~V}$ 時，汲極電流為 $4 \mathrm{~mA}$；若 $V_{\mathrm{GS}} = 5 \mathrm{~V}$，則汲極電流為何？ (A) $3 \mathrm{~mA}$ (B) $5 \mathrm{~mA}$ (C) $7 \mathrm{~mA}$ (D) $9 \mathrm{~mA}$

33. 在振盪器中，下列何種電路的輸出信號波形為「弦波」？ (A)單穩態多諧振盪電路 (B)雙穩態多諧振盪電路 (C) RC相移振盪電路 (D) 555定時器振盪電路

34. 有關BJT含射極回授電阻的分壓偏壓電路(無射極旁路電容)放大器之敘述，下列何者正確？ (A)直流工作點位置幾乎和β值無關 (B)加入射極回授電阻可使得電壓增益提升 (C)加入射極回授電阻可使得輸入阻抗降低 (D)電路為正回授設計

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