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100年 - 100 初等考試_電子工程:電子學大意#38359
> 試題詳解
25 以下各種場效電晶體,何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定值?
(A)VMOSFET
(B)JFET
(C)空乏型 MOSFET
(D)增強型 MOSFET
答案:
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統計:
A(20), B(12), C(11), D(12), E(0) #1094529
詳解 (共 2 筆)
HO
B2 · 2019/12/19
#3716109
100年 - 100年 - 100初考_電子工程-電子學大意#38359 #38359 --25題 答案C 字重覆
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【站僕】摩檸Morning.
B3 · 2019/12/20
#3717076
原本題目:25 以下各種場效電晶體,何者...
(共 189 字,隱藏中)
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25 以下各種場效電晶體,何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定值? (A) VMOSFET (B) JFET (C)空乏型 MOSFET (D)增強型 MOSFET
#1227967
25. 以下各種場效電晶體,何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定? (A)VMOSFET (B)JFET (C)空乏型 MOSFET (D)增強型 MOSFET 。
#3665553
26 圖中N通道增強型MOSFET的Vt=1V,則其工作於: (A)三極管區(Triode Region) (B)飽和區(Saturation Region) (C)截止區(Cut-off Region) (D)主動區(Active Region)
#1094530
27 求圖中基-射極接面迴路中的電流IB為:
#1094531
28 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點閘源極電壓VGS為-2.6V,汲極電流ID為 2.6mA,IDSS為 8mA,夾止電壓 (Pinch-off Voltage)Vp為-6V,不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗rd的影響,則此放大器的輸出阻抗Zo約為多少? (A)1kΩ (B)4.7kΩ (C)47kΩ (D)680kΩ
#1094532
29 若電晶體工作在基-射極接面為順偏,基-集極接面為逆偏下,已知IC=1.99mA及IE=2mA,則IB及β值分別為: (A) 0.01mA、199 (B)0.01mA、0.995 (C)3.99mA、199 (D)3.99mA、0.995
#1094533
30 EPROM 將記憶體單元中的資料清除,是採用: (A)通道抹除法清除 (B)源極抹除法清除 (C)汲極抹除法清除 (D)紫外線清除
#1094534
31 PN 接面二極體,若以接面處為界,在 P 型側空乏區內的電荷為: (A)正電荷 (B)負電荷 (C)電中性 (D)視雜質濃度而定
#1094535
32 圖所示為一動態邏輯(Dynamic Logic)電路。以下何者為錯誤? (A)時脈(Clock)等於 0 V 時,Y 等於“1" (B)時脈(Clock)等於VDD時,Y等於 (C)低位雜訊邊界(Noise Margin For Low Input, NML)=VtN,其中VtN是N型金氧半電晶體(NMOSFET)的臨限電壓(Threshold Voltage) (D)高位雜訊邊界(Noise Margin For High Input, NMH)=VDD-VtP,其中VtP是P型金氧半電晶體(PMOSFET)的臨限電壓
#1094536
33.一電路的轉移函數(Transfer Function)含兩個極點(Pole):fP1、fP2,和一個零點(Zero):fZ。若fP2=√2 fP1 , fZ=2 fP1,則此電路的頻寬約為: (A) 2 fP1 (B)√2 fP1 (C)fP1 (D)0.5 fP1
#1094537
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