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102年 - 102 初等考試_電子工程:電子學大意(重複)#46151
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26 一個 N 通道增強型場效電晶體的汲極電流不為零,則其 V
GS
的值為:
(A)負值
(B)零
(C)正值
(D)正、負皆可
答案:
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統計:
A(4), B(2), C(75), D(4), E(0) #1204397
詳解 (共 1 筆)
leochan87
B1 · 2016/12/19
#1555024
N 通道增強型場效電晶體 → N-ch ...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/21
私人筆記#7657687
未解鎖
N 通道增強型 MOSFET 導通條件...
(共 270 字,隱藏中)
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27 圖中電路 VD = 12 V 而 VGS = −2 V ,則其 RS 為: (A)1.35 kΩ (B)2.82 kΩ (C)3.36 kΩ (D)5.10 kΩ
#1204398
28 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數 β (= I c / I b ) 為 100,不考慮電晶體集 極到射極的交流輸出阻抗 ro 的影響,則此放大器的輸入阻抗 Z i (= Vi / I i ) 約為多少? (A)2.2 kΩ (B)110 kΩ (C)220 kΩ (D)300 kΩ
#1204399
29 如圖共基極偏壓電路中,求出 I EQ 與 VCEQ 值。 (A) I EQ = 3.50 mA , VCEQ = 4.50 V (B) I EQ = 2.50 mA , VCEQ = 3.50 V v(C) I EQ = 2.75 mA , VCEQ = 4.10 V (D) I EQ = 5.50 mA , VCEQ = 6.50 V
#1204400
30 圖中振盪器之振盪頻率約為何? (A) √10 × 1010 rad/sec (B) 1010 rad/sec (C) √10 × 10 9 rad/sec (D) 109 rad/sec
#1204401
31 雙極性電晶體(BJT)的爾利效應(Early effect),是指: (A) VBE 隨溫度變化的現象 (B) I C 隨溫度變化的現象 (C) I C 隨 VBC 逆偏壓改變的現象 (D) I C 隨 VBE 偏壓改變的現象
#1204402
32 如圖 a 所示為具有信號源電阻 Rs 和負載電阻 RL 的放大器電路,設 re = 5.6 Ω , β = 100 , ro = ∞Ω 。圖 b 為在 390 kΩ >> 10β re 條件下的交流等效電路,其中 Rs = 280 Ω,RL = 4.7 kΩ,則電壓增益 Av (= Vo / Vs ) 約為: (A)-257 (B)-183 (C)-2.75 (D)-1
#1204403
33 參考圖中增強型 MOSFET 的偏壓電路,選擇正確的工作特性圖:
#1204404
34 多級放大器的最後一級,因電路與負載之阻抗匹配,常使用何種放大器組態? (A)共射極(Common Emitter) (B)共基極(Common Base) (C)共集極(Common Collector) (D)共閘極(Common Gate)
#1204405
35 如圖所示電路,電晶體 Q1 與 Q2 有相同特性,若 VCC = 20 V ,VEE = −10 V ,電阻 R1 = R2 = R3 = 5 kΩ , V1 = V2 = 0 V ,輸出電壓 Vo 約為何值? (A)20 V (B)15 V (C)10 V (D)5 V
#1204406
36 圖為疊接放大器(Cascode Amplifier),關於其中電晶體 Q2 的作用,下列敘述何者錯誤? (A)降低米勒效應 VCC (B)增加放大器頻寬 (C)增加輸出阻抗 RC (D)降低 VCC 電壓
#1204407
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