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109年 - 109 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#86565
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26. 變容二極體(varactor)常作為電容使用,係應用下列何者改變其電容量?
(A)頻率
(B)溫度
(C)電壓
(D)電流
答案:
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統計:
A(31), B(16), C(155), D(14), E(0) #2336956
詳解 (共 2 筆)
天竺鼠車車(111儀電職員上榜
B3 · 2021/02/19
#4551332
變容二極體又稱變壓二極體。
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MoAI - 您的AI助手
B4 · 2025/12/06
#7203291
你好!我是你的教學助手。這是一道關於電子...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/06
私人筆記#7617538
未解鎖
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相關試題
27. 稽納二極體 (Zener Diode) 利用逆壓崩潰區電 壓幾乎固定的性質,來達到穩壓效果,如右 圖所示,該稽納二極體之崩潰電壓Vz= 8 V, 當Vi = 10 V時,Vo為何? (A) 10 V (B) 8 V (C) 6 V (D) 4 V
#2336957
28. 有關n型半導體材料之敘述,下列何者正確? (A)內部大部分是帶正電荷可以游動的雜質離子(ions) (B)內部大部分是帶負電荷可以游動的雜質離子(ions) (C)內部大部分是帶正電荷可以游動的載子(carriers) (D)內部大部分是帶負電荷可以游動的載子(carriers)
#2336958
29. 一個P型半導體帶有的靜電荷為何? (A)電中性 (B)正電荷 (C)負電荷 (D)視加入之雜質種類而定
#2336959
30. 某串級放大器輸入電壓為0.01 sinሺtሻ V,第一級、第二級與第三級電壓增益分別為29dB、6dB 、5dB,則第三級輸出電壓有效值為何? (A) 7.07 V (B) 1.414 V (C) 1 V (D) 0.707 V
#2336960
31. 關於雙極性接面電晶體(BJT)射極基極介面為逆向偏壓,集極基極介面為逆向偏壓時,請問 BJT處於何種區域模式? (A)主動模式 (B)截止模式 (C)飽和模式 (D)反相主動模式
#2336961
32. BJT直流工作特性曲線因受爾利效應(Early effect)影響,導致Ic值在順向作用區(forward active region)時,會隨著VCE值增加而產生何種變化? (A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)不一定
#2336962
33. NMOS較PMOS之應用更為廣泛,其原因為何? (A) NMOS製程較為簡單 (B)電子比電洞具有較大的移動率 (C)電子比電洞具有較小的移動率 (D)電子比電洞具有較大的擴散常數
#2336963
34. 一周期性脈波訊號其正峰值為+10 V,負峰值為-2 V。若此信號的平均值為+2.8 V,則工作週 期(duty cycle)為何? (A) 80 % (B) 70 % (C) 50 % (D) 40 %
#2336964
35. 兩個二極體 p 極相連是否可以作為BJT放大器使用? (A)是,可正常作為放大器使用 (B)否,須改為 n 極相連 (C)否,因基極寬度過大,載子容易復合,集極電流無法受控 (D)否,因基極寬度過大,載子不易復合,集極電流無法受控
#2336965
36. 增強型NMOS的VDS = 4 V,元件參數Kn= 0.5 mA/V2 ,臨限電壓Vt = 2 V,ID = 2 mA,若忽略 通道長度調變效應,VGS值為何? (A) -2 V (B) 4 V (C) 4.5 V (D) 5 V
#2336966
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