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國營事業◆1.電路學 2.電子學
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112年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#116960
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26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中,主要用來決定下列何者?
(A)半導體內電流
(B)半導體型式(n或p)
(C)半導體內磁場
(D)半導體溫度
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統計:
A(12), B(67), C(6), D(4), E(0) #3160055
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/11/05
#7026777
題目解析 霍爾效應是一種物理現象,當導體...
(共 977 字,隱藏中)
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私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2024/08/20
私人筆記#6337970
未解鎖
國營事業◆1.電路學 2.電子學 ...
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相關試題
27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體,在溫度為 18 °C時(VT = 25 mV),其逆向偏壓的飽和電流為 IS = 2 ✖10-14 A 且 n = 1,請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為何? (A) 0.53 mA (B) 1.06 mA (C) 1.44 mA (D) 2.88 mA
#3160056
28. 有關 PN 接面的二極體,下列敘述何者有誤? (A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高 (B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄 (C)溫度上升時,障壁電壓上升 (D)溫度上升時,漏電流上升
#3160057
29. 如右圖所示之二極體電路圖,若各二極體均為理想二 極體,下列敘述何者有誤?(A)當VI = 0 V時,VA = 4 V,VO = 4 V (B)當VI = 6 V時,VA = 6 V,VO = 6 V (C)當VI = 8 V時,VA = 8 V,VO = 8 V (D)當VI = 12 V時,VA = 12 V,VO = 12 V
#3160058
30. 一般 BJT 電晶體作為線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(Operation Point)落在 下列何種區域,可獲得較佳之放大倍率? (A)作用區(Active Region) (B)反向作用區(Reversed Active Region) (C)截止區(Cut-off Region) (D)飽和區(Saturation Region)
#3160059
31. 如右圖所示之 BJT 電晶體分壓器偏壓電路圖,若電晶體 βDC = 80, VBE = 0.7 V,請問 VC 為何?(A) 2 V (B) 4.3 V (C) 5 V (D) 8.6 V
#3160060
32. 有關 BJT 與 FET 之比較,下列敘述何者正確? (A) BJT 製作面積比 FET 小 (B)一般來說,FET 作為放大器的雜訊較大 (C) BJT 是雙載子元件,FET 是單載子元件 (D) FET 不會發生爾利效應(Early Effect)
#3160061
33. 有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃時,具最大散熱功率 PDO 為 2 W,最大接面溫度為 150 ℃,請問 當環境溫度上升至 50 ℃時,可安全散熱之最大功率為何? (A) 1.2 W (B) 1.6 W (C) 2 W (D) 2.4 W
#3160062
34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值,下列敘述何者正確? (A)降低基體(Substrate)的濃度(NA) (B)降低源極(Source)區域的濃度(ND) (C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND) (D)降低閘極(Gate)區域的ɛox/tox(ɛox:矽氧化層的電容介電係數;tox:矽氧化層的厚度)
#3160063
35. 有關 MOSFET 之敘述,下述何者有誤? (A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正 (B)增強型 p 通道 MOSFET 之VGS若接正電壓,則無法建立通道 (C)空乏型 n 通道 MOSFET 之VGS可接正電壓或負電壓 (D)空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在
#3160064
36. 有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路,若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點,意即 ID = IDSS,下列哪一種方式可達成? (A) VGS = VGS(off) ⁄ 2 (B) VD = VDD ⁄ 2 (C) VGS = VGS(off) ⁄ 3.4 (D) VD = VDD ⁄ 3.4
#3160065
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