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初等/五等/佐級◆電子學大意
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106年 - 106 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#67133
> 試題詳解
29 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式(saturation mode),並構成共源極(CS)放大器,該 MOSFET 之臨界電壓 V
t
= 0.5 V。當 V
GS
= 2 V 時,求使此電晶體仍工作於飽和區之 VDS最小值為何?
(A)0.5 V
(B)1 V
(C)1.5 V
(D)2 V
答案:
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統計:
A(12), B(3), C(111), D(1), E(0) #1719238
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/25
私人筆記#7589024
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30 如圖示電路,VCC = +10 V,RB1 = 200 kΩ,RB2 = 200 kΩ,RC = 5 kΩ,RE = 1 kΩ,電晶體電流放大 率 β = 100,則此電晶體工作在: (A)截止區 (B)主動區(active region) (C)飽和區(saturation region) (D)逆向主動區(reverse active region)
#1719239
31 如圖所示為一波形產生電路,該電路在正常運作中並於某一瞬時間得知該電容器 C 處於放電狀態, 則在此瞬時間,下列那一敘述為正確?其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 12 V。 (A)vO = 12 V (B)Vf = -4 V (C)vC = 6 V (D)iR = 1.2 mA
#1719240
32 三角波產生電路中各個元件的電性數值如圖中所示,並且測得其輸出頻率為 f,則下列那一種組合的 改變可使其輸出頻率為原來的 4 倍=4f?兩 OPA 可視為理想。 (A)R1增為 2 倍、R2增為 2 倍 (B)R 減半、R1減半 (C)C 減半、R2減半 (D)C 減為四分之一、R 增為 2 倍
#1719241
33 由 β1 = 80 及 β2 = 100 的電晶體 Q1 及 Q2 所構成 RC 串級放大電路如圖,第 1、第 2 單級放大電路的 基極直流偏壓電流 IB1 與 IB2均為 25 μA,且測得 Ri2 = 4 kΩ,決定該串級放大電路的總電壓增益大小 約為多少?熱電壓 VT = 25 mV。 (A)64 (B)80 (C)124 (D)160
#1719242
34 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的 β = 100,VBEactive = 0.7 V,忽略爾利效應。VT = 25 mV, 求低頻 3 dB 頻率(選最接近之值)? (A)15.9 Hz (B)100 Hz (C)3.18 kHz (D)20 kHz
#1719243
35 如圖雙穩態電路,其 R1 = 10 kΩ 且 R2 = 20 kΩ,若在 t =0 時輸出電壓 vo 飽和在-10 V;當在 t>0 時, 輸出電壓 vo突然由-10 V 轉態並飽和在+10 V;試問在 t > 0 時,引起輸出電壓 vo突然轉態的輸入電 壓 vI狀態為何? (A)vI < -5 V (B)vI > +5 V (C)vI > -5 V (D)vI < +5 V
#1719244
36 有一放大器電路的轉移函數(Transfer function)F(s)=VO(s)/VI(s)如下所示,其中 s=jω=j2πf: ,今製作相角∠F(s)的波德曲線圖(Bode plot),欲估計在頻率 f = 3 kHz 時的相 角,下列何者正確? (A)大於 60° (B)落於 30°至 60°之間 (C)落於-30°至 30°之間 (D)小於-30°
#1719245
37 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,IC = 0.838 mA,VT = 26 mV,β = 100,Cπ = 24 pF, Cμ = 3 pF,忽略爾利(Early)與所有其他電容效應,求相關於輸出端之 3 dB 頻率為何? (A)28.4 MHz (B)38.4 MHz (C)48.4 MHz (D)58.4 MHz
#1719246
38 如圖之電路,L1 = L2 = 1 mH,C = 30 pF,若不考慮 R1對回授網路之負載效應,振盪發生時其振盪頻 率為何? (A)0.65 MHz (B)0.85 MHz (C)1.05 MHz (D)1.25 MHz
#1719247
39 矽二極體逆向偏壓時,在電路上會有一個等效並聯寄生電容 Cj ,這個電容的主要電荷來自下列何者? (A)P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的載子 (B)P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的摻雜雜質 (C)P 型 N 型半導體接合面中性區內部的載子 (D)P 型 N 型半導體接合面中性區內部的摻雜雜質
#1719248
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