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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22366
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29 蕭特基電晶體邏輯(Schottky-Transistor Logic)電路動作速度比雙極性電晶體邏輯(Transistor -Transistor Logic)快的原因是因為蕭特基電晶體:
(A)沒有 RC 延遲因素
(B)不會進入深飽和區
(C)載體移動率較快
(D)載體以穿透效應傳輸
答案:
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統計:
A(17), B(39), C(12), D(10), E(0) #852892
詳解 (共 1 筆)
ccgc
B1 · 2019/05/28
#3379893
蕭特基電晶體 由蕭特基二極體與BJT組成...
(共 98 字,隱藏中)
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30 將硼( B )元素摻進純矽晶體中,則成為何種型別的半導體? (A) N 型 (B) P 型 (C)空乏型 (D)增強型
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31 圖中振盪器,C1=10μF,C2=20μF,L=100nH,R=10kΩ。電晶體的跨導(Transconductance,gm) 需約為多少才能維持振盪: (A) 20mA/V (B) 2mA/V (C) 0.2mA/V (D) 0.02mA/V
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32 關於 之敘述,何者正確?(A)此為低通濾波器 (B)此為帶通濾波器 (C)其高頻增益為 (D)R1越大則低頻 -3 dB頻率越低
#852895
33 由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。其中R1=R2=10kΩ,負載電阻RL=20kΩ。若輸入電壓VIN =2V,則負載電壓VL為何? (A) 0.5V (B) 1V (C) 2V (D) 4V
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34 圖示理想運算放大器電路,若輸出電壓vO=2(v1-v2),則: (A)R1=2kΩ、R2=4kΩ、R3=10kΩ、R4=10kΩ (B)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=5kΩ、R4=10kΩ (C)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=3kΩ、R4=4kΩ (D)R1=2kΩ、R2=3kΩ、R3=3kΩ、R4=8kΩ
#852897
35 圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中,Zi及Zo分別代表輸入及輸出阻抗,rd為MOSFET小訊號模型汲極 區域內電阻,下列敘述何者正確? (A)Zi=R1+R2,Zo=RD (B)Zi=(R1 R2)/(R1+R2),Zo=RD (C)Zi=(R1 R2)/(R1+R2),Zo=rd RD/( rd+RD) (D)Zi=R1+R2,Zo=rd RD/( rd+RD)
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36 圖中曲線為 CMOS 反相器的電壓轉換曲線,操作在那一點時功率損耗最多? (A)P1 (B)P2 (C)P3 (D)P4
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37 PN接面二極體,P型的雜質濃度為NA,N型的雜質濃度為ND,接面處P型的空乏區寬度為XP,N型的 空乏區寬度為XN,若NA>ND,則下列敘述何者為正確? (A) XP>XN (B)XP<XN (C)XP=XN (D)NAXP>NDXN
#852900
38 設VBE=0.7V,則圖中的電流IC約為: (A) 10.0mA (B) 6.0mA (C) 4.3mA (D) 3.8mA
#852901
39 圖中電路,假設VIN=VDD,VG=VDD,VDD=4V,C=100fF。電晶體的臨限電壓(Threshold Voltage,VTH )為 1V,本體效應(Body Effect)可以忽略。製程跨導參數(Process Transconductance Parameter,μn Cox)為 50 μA/V2 。寬長比(Aspect Ratio,W/L)為 2。則此電路的VO從 0 V升至VDD/2 所需要的時間約 為: (A) 1ns (B) 0.8ns (C) 0.4ns (D) 0.2ns
#852902
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