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102年 - 102 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22221
> 試題詳解
29 金氧半電晶體內部電容影響電路的頻率響應,下列的描述何者錯誤?
(A)電晶體工作於三極管(triode)區時閘極電容可視為一平行板電容
(B)源極-本體間的電容為一反偏的 pn 接面電容
(C)閘極-汲極間電容與電晶體工作區域無關
(D)源極-本體間的電容會隨偏壓而改變
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統計:
A(11), B(19), C(77), D(6), E(0) #845961
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/25
私人筆記#7670308
未解鎖
MOSFET 內部電容與頻率響應解析 ...
(共 423 字,隱藏中)
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30 如圖示電路,電晶體電流放大率 β =100,若 RC=5 kΩ,Re=200 Ω,I=1 mA,則差模輸入阻抗 Rid約為 多少? (A) 400 Ω (B) 500 Ω (C) 40 kΩ (D) 50 kΩ
#845962
31 一個差動放大器,若 V+= +10mV 而 V- = -10mV,那差動輸入電壓(differential-mode input voltage)為: (A) 0mV (B) +10mV (C) +20mV (D) -30mV
#845963
32 如圖所示放大器,外接電容為 CC1、CC2 和 CS,MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和 Cgd。有關此放大器 電路的高頻響應,下列敘述何者正確? (A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受 MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)主要受其他電容影響,但受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度不大
#845964
33 由電阻 R1、R2和運算放大器組成的非反相放大器(Non-Inverting Amplifier),如圖所示。其中 R1=1kΩ, R2=1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V,輸入偏移電壓(Input Offset Voltage, Vos)為 5mV。若 輸入 VIN為正弦訊號,則其最大輸入振幅大約為多少才不會造成輸出訊號失真? (A) 15 mV (B) 10 mV (C) 5 mV (D) 2 mV
#845965
34 如圖所示之電路,其運算放大器之飽和電壓為 ± 15 V,則此電路之遲滯(hysteresis)電壓範圍為何? (A) 10 V (B) 12 V (C) 15 V (D) 18 V .
#845966
35 分析如圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm=1 mA/V 且操作於飽和區,臨界電壓 Vth=1 V,VGS=1.2 V, 求 RD=? (A) 19 kΩ (B) 25 kΩ (C) 38 kΩ (D) 45 kΩ
#845967
36 如圖之電路,運算放大器之飽和電壓為 ± 15 V,若 Vo之週期為 3 ms,則 R2/R1為何? (A) 1/10 (B) 1/4 (C) 1/3 (D) 1/2
#845968
37 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,元件之輸出阻抗 ro皆為 10 kΩ, 試求 Vo / Vi約為多少? (A) 10 (B) 7.5 (C) 25/6 (D) 25/11
#845969
38 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V。若忽略元 件之輸出阻抗(ro),則輸出(Vo)對輸入(Vi)之共模增益(Common Mode Gain)Acm=? (A) 0 (B) 1/11 (C) 1/10 (D) ∞
#845970
39 相較於單級共射極(CE)放大器,圖示 CC-CE 串接電路之主要優點在於提高: (A)輸入阻抗、輸出阻抗 (B)輸入阻抗、頻寬 (C)輸出阻抗、電壓增益 vo/vi (D)輸出阻抗、頻寬
#845971
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