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107年 - 107 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#69650
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3 下列有關積體電路的設計原則,何者錯誤?
(A)避免使用耦合電容,因為電容占較大的面積
(B)以電流源來替代電阻可以降低使用面積
(C)控制個別電阻的阻值較控制電阻間阻值比容易
(D)隨著電晶體尺寸的縮小,電源電壓逐漸變低
答案:
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統計:
A(41), B(32), C(152), D(52), E(0) #1809657
詳解 (共 1 筆)
禹杰吳
B2 · 2019/05/16
#3353781
積體電路 設計模組為單位 控制單一電阻 ...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/23
私人筆記#7583191
未解鎖
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4 如圖所示為運算放大器電路連接在±12 V 電源,一開始令電容上電壓為零且運算放大器為理想;已 知 RC 時間常數為 1 ms,若該運算放大器自身的抵補電壓(offset voltage)VOS=2 mV,試求多少時 間後該運算放大器的輸出會到達飽和? (A)6 秒 (B) 12秒 (C) 18秒 (D) 24秒
#1809658
5 有一差動放大器的共模增益 AC=20,差模增益 Ad=180,則其共模拒斥比(CMRR)=? (A)180 (B) 20 (C)9 (D) 1/9
#1809659
6 雙極性電晶體(BJT)若工作在主動作用區時: (A)基極-射極接面、基極-集極接面都順偏 (B)基極-射極接面順偏、基極-集極接面逆偏 (C)基極-射極接面逆偏、基極-集極接面順偏 (D)基極-射極接面、基極-集極接面都逆偏
#1809660
7 積體電路中需要製作隔離區,這是因為: (A)方便作電路測試 (B)避免元件受機械損害 (C)避免元件受熱損害 (D)減少電路中各元件間之電性相互作用
#1809661
8 如圖為一個理想運算放大器電路,其電壓增益 vO/vI為多少分貝(dB)? (A)10 dB (B)-10 dB (C) 20 dB (D)-20 dB
#1809662
9 一個 NMOS 電晶體,其臨界電壓 Vt=0.5 V。當輸入端電壓 VGS=1.5 V 時之汲極飽和電流 ID =1 mA, 則當汲極飽和電流 ID增為 4 mA 時,其 VGS值為多大? (A)1.5 V (B)2 V (C)2. 5 V (D)3 V
#1809663
10 當一 npn 電晶體工作在飽和模式(Saturation-Mode)時,下列敘述何者最有可能是錯誤的? (A)VBE約為 0.7 V (B) VBC約為 0.5 V (C) VCE約為 0.2 V (D) IC飽和在 Isat的定值
#1809664
11 如圖所示之電路,假設電容器初始壓降 VC(0)=0,則輸出電壓振幅為輸入電壓振幅 VP之幾倍? (A)26.5 (B)30.5 (C)36.5 (D)39.5.
#1809665
12 若運算放大器之迴轉率(slew rate)為 4 π V/μs,當輸入為弦波時其輸出弦波之峰值為 5 V,求最大 不失真頻率為何? (A)300 kHz (B) 400 kHz (C) 500 kHz (D) 600 kHz
#1809666
13 如圖所示之電路,當 VIN為 5 V 時,VOUT為何?假設二極體的開啟電壓(turn-on voltage)為 0.8 V。 (A)4.2 V (B) 5. 8 V (C)-2.3 V (D)-0.7 V
#1809667
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