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113年 - 113 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題_專業科目 A:電子學#119792
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33. 有一矽二極體在溫度 90 ℃ 時,其逆向飽和電流為 192 nA,若溫度下降至 30 ℃ 時,試求逆向 飽和電流為何?
(A) 3 nA
(B) 6 nA
(C) 12 nA
(D) 24 nA
答案:
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統計:
A(34), B(4), C(5), D(2), E(0) #3234789
詳解 (共 1 筆)
113中油儀電雇榜首專業滿分
B1 · 2024/08/14
#6192034
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私人筆記 (共 2 筆)
黃良友
2025/04/29
私人筆記#6921982
未解鎖
漏電流 每上升10度C , 增加一倍--...
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Alice
2025/11/30
私人筆記#7601112
未解鎖
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相關試題
34. 有一放大電路以中頻段增益為基準,有關其截止頻率之敘述,下列何者有誤? (A)截止頻率又稱半功率點頻率 (B)截止頻率又稱 -3 dB 點頻率 (C)半功率點是指增益衰減至中頻段增益的一半 (D)截止頻率可分為低頻截止頻率點與高頻截止頻率點
#3234790
35. 有關場效電晶體(FET)之敘述,下列何者有誤? (A) MOSFET 的工作模式為歐姆區(三極管區)、夾止飽和區及截止區 (B)可分成傳導載子為電子的 n 通道與傳導載子為電洞的 p 通道 (C) MOSFET 分成沒有預置通道的空乏型與有預置通道的增強型 (D)主要可分成 JFET 及 MOSFET
#3234791
36. 有關雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)、共集極(CC)及共基極(CB)組態放大電路特性之比較 ,下列何者有誤? (A)功率增益:CE > CB > CC (B)輸出阻抗:CB > CE > CC (C)輸入阻抗:CC > CE > CB (D)電壓增益:CB > CC > CE
#3234792
37. 有關場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)之比較,下列敘述何者正確? (A) FET 的輸入阻抗較 BJT 低 (B) BJT 比 FET 適合應用於超大型積體電路 (C) BJT 的熱穩定性較 FET 好 (D) FET 增益與頻寬的乘積較 BJT 小
#3234793
38. 有關差動放大器增益與共模拒斥比(CMRR)之敘述,下列何者正確? (A) Acm (共模增益)越大越好 (B) Ad (差模增益)越小越好 (C)理想 CMRR 為無窮大 (D) CMRR 越小越能抑制雜訊
#3234794
39. 串級放大器相對於單級放大器,有關前者之增益與頻寬,下列敘述何者正確? (A)增益變大,頻寬變窄 (B)增益變大,頻寬變寬 (C)增益變小,頻寬不變 (D)增益變小,頻寬變窄
#3234795
40. 下列何者不是達靈頓(Darlington)放大電路之特點? (A)輸入阻抗高 (B)輸出阻抗低 (C)電流增益高 (D)電壓增益高
#3234796
41. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式,熱電壓 VT = 25 mV,基極直流電 IB = 10 μA, β = 99,試求室溫下交流等效電阻 rπ 為何? (A) 1 kΩ (B) 2.5 kΩ (C) 5 kΩ (D) 25 kΩ
#3234797
42. 電晶體共射極放大電路於射極電阻 RE 增加一射極旁路電容 CE,其主要功用為下列何者? (A)濾波功能 (B)防止直流電通過 (C)防止短路 (D)提高電壓增益
#3234798
43. 有一 n 通道接面場效電晶體(JFET)之汲極電流 IDSS = 4 mA,其中 VGS(OFF) = ‐4 V,當 JFET 運 作於 VGS = ‐2 V 時,試求順向轉移互導 gm 為何? (A) 0.5 mƱ (B) 1 mƱ (C) 1.5 mƱ (D) 2 mƱ
#3234799
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