36 如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極性接面電晶體的π 型小訊號等效電路，若集極電流 為 IC。爾利電壓（Early voltage）為 VA，熱電壓為 VT，則下列敘述何者錯誤？ 
(A)gm = IC/VT
(B)ro = VA/IC
(C)rπ = VT/IC
(D)gmrπ = β

37 下圖是雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態的小訊號電路模型，其輸出電阻 RO為何？(A)Rc(B)ro(C)Rc//ro(D)Rc//ro//RB

38 如圖所示為一 BJT 差動對（Differential-Pair）電路。Q1 = Q2，並設工作於主動模式（Active-mode）。 則此差動放大器的差動增益（Differential Gain） Ad=Vod/Vid 以熱電壓（Thermal Voltage）VT表示為：

39 比較器（Hysteresis Comparator VTH為何？ (A) 0.8 V (B)1 V (C) 1.25 V (D)2 V

40 如圖所示的 MOS 電晶體放大器電路中，通常以那一個電阻的電阻值會最小： (A)RG1 (B)RG2 (C)RD (D)RS

1 訴訟進行中，如當事人於期日不到場，其效果如何？ (A)如兩造於言詞辯論期日不到場，法院應裁定駁回起訴 (B)如一造於準備期日不到場，法院不得對於到場的一造，行準備程序 (C)如一造於言詞辯論期日不到場，法院得依到場當事人聲請，由其一造辯論而為判決 (D)如兩造於準備期日不到場，視為撤回起訴

2 某國國家代表隊員甲受邀來我國參加球類競賽，在臺北搶奪他人財物，就甲之行為適用我國刑法規定， 下列敘述何者正確？ (A)採「保護原則」，應依我國刑法論處 (B)採「屬人原則」，應依甲之本國法論處 (C)採「世界原則」，應依我國刑法論處 (D)採「屬地原則」，應依我國刑法論處

3 甲攜帶兇器竊盜，甲之行為成立刑法第 320 條竊盜既遂罪，且成立刑法第 321 條加重竊盜既遂罪。下列何者為關於以上敘述之論斷？ (A)成立法條競合 (B)成立數罪併罰 (C)成立實質競合 (D)成立想像競合

4 下列何者並非保安處分？ (A)訓誡處分 (B)感化教育 (C)監護處分 (D)保護管束

5 下列關於我國刑法效力之敘述，何者錯誤？ (A)在我國軍艦上犯罪，有我國刑法之適用 (B)在我國領空上犯罪，有我國刑法之適用 (C)我國人在外國犯最輕本刑 3 年以上有期徒刑之罪，一律有我國刑法之適用 (D)犯罪行為或結果，有一在我國領域內，即有我國刑法適用

6 甲在 3 個月內，接連搶奪不特定路人，總計得手 11 次。下列敘述何者正確？ (A)甲所為構成搶奪罪的連續犯，應加重其刑至二分之一 (B)甲所為構成搶奪罪的累犯，應加重其刑至二分之一 (C)甲所為構成搶奪罪之接續犯，應加重其刑至二分之一 (D)甲所為構成數搶奪罪，應併合處罰

115年 - 115 初等考試_電子工程：電子學大意#136710

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