37.如【圖 37】所示的場效電晶體是屬於何種結構的場效電晶體？(A) (a)是 P 通道增強型 MOSFET；(b)是 N 通道增強型 MOSFET(B) (a)是 P 通道增強型 MOSFET；(b)是 N 通道空乏型 MOSFET(C) (a)是 N 通道增強型 MOSFET；(b)是 P 通道空乏型 MOSFET(D) (a)是 N 通道空乏型 MOSFET；(b)是 P 通道增強型 MOSFET

40.如【圖 40】所示，截波電路的輸入電壓為 vi(t) = 15sin(100t) mV，非理想稽納二極體的順向導通電壓均為 0.7 V；而崩潰電壓分別為 ZD1 = 4 V，ZD2 = 7 V，則輸出電壓 vo(t)的上下限分別為何？(A)輸出電壓正半週的上限為 +7 V；負半週上限為 +4 V(B)輸出電壓正半週的上限為 +7 V；負半週上限為 – 4 V(C)輸出電壓正半週的上限為 – 7.7 V；負半週上限為 – 4.7 V(D)輸出電壓正半週的上限為 +7.7 V；負半週上限為 – 4.7 V