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108年 - 108 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#78753
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37. 如【圖6】所示,VD = 15 V,VGS = -3 V,則Rs為何?
(A) 1.5 kΩ
(B) 2 kΩ
(C) 3 kΩ
(D) 4.5 kΩ
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統計:
A(4), B(12), C(189), D(5), E(0) #2057590
詳解 (共 1 筆)
jeef820923(CHT已上榜)
B1 · 2019/09/02
#3565887
(共 1 字,隱藏中)
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38. 如【圖7】所示,若MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)為2 V,閘源極間電壓VGS = 4 V時 ,其汲極電流ID(on) = 20 mA,則此電路之汲源極間電壓VDS及汲極電流ID分別約為何? (A) 3.4 V、18.4 mA (B) 4.3 V、18.4 mA (C) 5.4 V、15.3 mA (D) 4.5 V、15.3 mA
#2057591
39. 如【圖8】所示,若一電阻電容耦合串級放大器電路之頻率響應,fL 與 fH 分別為低頻與高頻 截止頻率,則電路的低頻增益衰減現象由下列何者所造成? (A)雜散電容 (B)極間電容 (C)分佈電阻 (D)耦合電容
#2057592
40. 如【圖9】所示,RG= 10 kΩ,RD= 5 kΩ,若JFET之rds= 20 kΩ,gm= 1.5(mA/V),電壓增益 為何? (A) -2 (B) -4 (C) -6 (D) -8
#2057593
41. 如【圖10】所示JFET共源極放大電路,若JFET之轉移電導gm = 2 (mA/V),輸出電阻 rd = 40 kΩ,則放大電路的電流增益 為何? (A) -200 (B) -250 (C) -400 (D) -500
#2057594
42. 如【圖11】所示,若JFET的轉移電導gm = 4 (mA/V),不考慮汲極輸出電阻時,則輸出電阻Zo 為何? (A) 100 Ω (B) 200 Ω (C) 250 Ω (D) 1000 Ω
#2057595
43. 有關JFET共汲極放大電路之敘述,下列何者正確? (A)又稱為源極隨耦器 (B)電壓增益甚高 (C)輸出訊號與輸入訊號相位相反 (D)電流增益低於1
#2057596
44. 某N通道增強型MOSFET放大電路,MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)Vt = 2 V,參數 K=0.3 (mA/V2 ),若MOSFET工作於夾止區(飽和區),且閘源極間電壓VGS = 4 V,則轉移電導 gm為何? (A) 0.6 mA/V (B) 1.2 mA/V (C) 1.8 mA/V (D) 2.4 mA/V
#2057597
45. 有關場效電晶體放大器之敘述,下列何者有誤? (A)共源極(CS)放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號 (B)共閘極(CG)放大器輸入阻抗小,適合輸入電流訊號 (C)共汲極(CD)放大器輸出與輸入電壓訊號同相,適合作電壓放大器 (D)共汲極(CD)放大器輸入阻抗大,適合輸入電壓訊號
#2057598
46. 如右圖所示電路,假設使用理想運算放大器,R1 = R4 = 10 kΩ, R2= 20 kΩ,C1=0.2μF,C2=0.1μF,試求在巴克豪森(Barkhausen) 準則下,此電路產生振盪的R3值為何? (A) 10 kΩ (B) 20 kΩ (C) 40 kΩ (D) 60 kΩ
#2057599
47. 使用非反相放大器之韋恩電橋(Wien-Bridge)振盪電路,若要產生振盪,則回授網路相移角度 為何? (A) 0゜ (B) 90゜ (C) 180゜ (D) 270゜
#2057600
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