41 有一個 N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓 Vt = +3V,VG = 5V,VS = +0V,則下列 哪個 VD電壓可使電晶體操作飽和區?(A) 0 V(B) 1 V(C) 1.5 V(D) 5 V