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109年 - 109 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價職位人員/電子電機:電子學#89179
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42.如【圖 42】所示電路,電晶體為矽質材料,工作於正常線性放大區域,求 I
C
值為何?
(A) 1mA
(B) 2mA
(C) 3mA
(D) 4mA
答案:
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統計:
A(10), B(173), C(8), D(4), E(0) #2405758
詳解 (共 1 筆)
Mitsu
B1 · 2020/09/17
#4274737
2mA
(共 5 字,隱藏中)
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42.如【圖 42】所示電路,電晶體為矽質材料,工作於正常線性放大區域,求 值為何? (A) 1mA (B) 2mA (C) 3mA (D) 4mA
#3811314
43.有關振盪器的敘述,下列何者錯誤? (A)石英晶體振盪器的輸出頻率最穩定 (B) RC 相移振盪器至少需 3 級 RC 電路來做相移 (C)哈特萊振盪器的輸出是高頻方波 (D)韋恩電橋振盪器輸出是低頻弦波
#2405759
44.如【圖 44】所示之電路,射極電壓 VC約為何? (A) 3V (B) 6.6V (C) 9.1V (D) 15.5V
#2405760
45.如【圖 45】所示電路,求 Vo大小為何? (A) -3V (B) -4V (C) 2V (D) 5V
#2405761
46.兩級串接放大電路,其電流增益分別為 Ai1=100,Ai2=150,若負載阻抗為 1kΩ,第一級輸入阻抗為150kΩ,求電路總電壓增益的 db 值為何? (A) 20db (B) 30db (C) 40db (D) 100db
#2405762
47.有關場效電晶體,下列敘述何者正確? (A) P 通道空乏型 MOSFET,閘極加上正電壓時,通道寬度變小 (B) N 通道增強型 MOSFET,閘極不加電壓時,通道內有電子,可供汲、源(D、S)極導通 (C) MOSFET 當開關使用時,轉換速率較雙極性電晶體快是其優點 (D) FET 構造較雙極性電晶體複雜,所以製成積體電路時,其包裝密度較低
#2405763
48.當 NPN 電晶體操作於飽和區時,下列敘述何者正確? (A) VBE>0,VBC<0,VCE>0 (B) VBE<0,VBC>0,VCE>0 (C) VBE<0,VBC>0,VCE<0 (D) VBE>0,VBC>0,VCE>0
#2405764
49.如【圖 49】所示 OPA 電路,輸入信號 Vi= 2+0.1sin(ωt+θ) V,假設 ωC 值趨近於無限大,則 VO為何? (A) 2+0.1sin(ωt+θ) V (B) 2+0.3sin(ωt+θ) V (C) 6+0.3sin(ωt+θ) V (D) 6+0.1sin(ωt+θ) V
#2405765
50.如【圖 50】所示之電路(矽電晶體),VC 約為多少? (A) 0.2V (B) 9.5V (C) 12.3V (D) 20V
#2405766
1 何者為機場內供航空器起飛、降落及滑行之區域,但不包括停機坪? (A)操作區 (B) 活動區 (C) 停機坪 (D) 勤務道路
#2405767
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