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A.電子概論、B.機械常識
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105年 - 中油僱員招考 A.電子概論、B.機械常識#73075
> 試題詳解
42.有一 JFET 動作於夾止區,若夾止電壓 Vp = −4V,I
DSS
= 8mA,求 V
GS
= − 2V 時的 I
D
值為多少?
(A) 2 mA
(B) 4 mA
(C)8 mA
(D)10 mA
答案:
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統計:
A(8), B(10), C(12), D(2), E(0) #1901831
詳解 (共 1 筆)
江
B1 · 2019/10/19
#3626843
ID=IDSS*(1-VGS/VP)^2...
(共 62 字,隱藏中)
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43.有關場效電晶體的敘述,下列何者錯誤? (A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體 (B)場效電晶體的主要型式有 JFET,空乏型 MOSFET,增強型 MOSFET (C)場效電晶體以控制通道之寬度而達到控制 ID大小之目的 (D)在 JFET 中,若 VGS順向偏壓可使 JFET 夾止動作
#1901832
44.空乏型 N 通道 MOSFET 中,下列哪一項可使元件不導通? (A) VDS > 0 (B) VGS = 0 (C)VGS >> 0 (D)VGS << 0
#1901833
45.欲使增強式 N 通道 MOSFET 工作於飽和區,其偏壓條件為何? (A) VGS > VT,VDS > VGS − VT (B) VGS > VT,VDS < VGS − VT (C)VGS < VT,VDS > VGS − VT (D)VGS < VT,VDS < VGS − VT
#1901834
46.如【圖 46】所示電路,工作點設置於 VGS = −2V,VDS = 2V,ID = 2mA,則 Rs 與 RD分別為多少? (A) Rs = 1.5kΩ,RD = 3.5kΩ (B) Rs = 1.5kΩ,RD = 5kΩ (C)Rs = 0.5kΩ,RD = 4.5kΩ (D)Rs = 0.5kΩ,RD = 6kΩ
#1901835
47.如【圖 47】所示電路為 N 通道空乏型 MOSFET 的偏壓電路,設 VDD=+24V,RD=2kΩ,RG=10MΩ,MOSFET 的 IDSS = 9mA,Vp = − 4.5V,則直流偏壓值 ID與 VDS為何? (A) ID = 9mA,VDS = 6V (B) ID = 2mA,VDS = 20V (C)ID = 9mA,VDS = 18V (D)ID = 0A,VDS = 24V
#1901836
48.如【圖 48】所示電路,忽略 rd,若 gm = 4mA/V,Rs = 1kΩ ,則 Av=Vo/Vi 為多少? (A) 0.5 (B) 0.8 (C)0.9 (D)1
#1901837
49.有一個 OPA 的迴轉率 SR 為 2V/μs,當輸入信號在 10μs 內變動 0.5V,則在不失真的情況下,該放大器之 Av =? (A) 10 (B) 20 (C)30 (D)40
#1901838
50.如【圖 50】所示,若 Vi=10sinωt 伏特,且 OPA 之正、負飽和輸出電壓為±10V,則輸出電壓 Vo 範圍為何? (A) 0V (B) −10V~+10V (C)0~+10V (D)−10V~0V
#1901839
51.如【圖 51】所示電路,Vi 為一對稱三角波,則 Vo 的波形為何? (A)方波 (B)三角波 (C)脈波 (D)正弦波
#1901840
52.有關振盪器之敘述,下列何者錯誤? (A)低頻振盪器一般採用 RC 電路 (B)射頻振盪器一般採用 LC 電路 (C)石英晶體振盪器是利用晶體本身之壓電效應 (D)振盪器是一種將交流電變為直流電的裝置
#1901841
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