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107年 - 107-12 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#73748
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42. 如右圖所示,當理想運算放大器在不飽和情況下, 輸出電壓 V
O
為何?
(A) - 0.5 V
(B) - 1 V
(C) - 2 V
(D) - 4 V
答案:
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統計:
A(3), B(275), C(20), D(9), E(0) #1917372
詳解 (共 1 筆)
李泰均
B1 · 2019/04/28
#3315331
第1放大器Vo = 0.2 * -(10...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/09
私人筆記#7625839
未解鎖
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相關試題
43. NPN電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有0.25 %在基極與電洞結合,其餘99.75 %被集 極收集,則此電晶體之 β 值為何? (A) 99 (B) 199 (C) 299 (D) 399
#1917373
44. 有一變壓器的匝數比為10:1,若在低壓側接上一個8 Ω的揚聲器,請問在高壓側測得的阻抗 為何? (A) 0.8 Ω (B) 8 Ω (C) 80 Ω (D) 800 Ω
#1917374
45. 如右圖所示,R1 = R2 = R3 = 100 kΩ,RA = 10 kΩ,若欲設 計輸出電壓 VO = V1 + V2 + V3 ,則 RB 為何? (A) 5 kΩ (B) 10 kΩ (C) 20 kΩ (D) 30 kΩ
#1917375
46. 如右圖所示,若電晶體保持在主動區工作,當提高 RC值 而 VCC 及 RB 值保持不變,則下列敘述何者正確? (A)工作點不變 (B)工作點朝飽和區反方向移動 (C)基極電流增加 (D)工作點朝飽和區方向移動
#1917376
47. 如右圖所示,若 VO = 8 V,則 Vi 應為何? (A) - 4 V (B) - 3 V (C) 1 V (D) 2 V
#1917377
48. 如右圖所示,此曲線為下列何種場效電晶體的 ID-VGS 特性曲線?(VT為臨界電壓) (A) N通道JFET (B) N通道空乏型MOSFET (C) P通道增強型MOSFET (D) N通道增強型MOSFET
#1917378
49. 某一N通道JFET的汲極飽和電流 IDSS = 16 mA,汲極電流 ID = 4 mA,若截止電壓 VGS(off) 為 - 3 V,則閘源極電壓 VGS 為何? (A) - 2.5 V (B) - 1.5 V (C) 1.5 V (D) 2.5 V
#1917379
50. 如右圖所示,若 ID = 2 mA,RD = 5 kΩ,RS = 1 kΩ,RG = 1 MΩ, 則 VD 與 VGS (VGS = VG− VS)分別為何? (A) - 5 V, - 2 V (B) - 5 V, 2 V (C) 5 V, - 2 V (D) 5 V, 2 V
#1917380
1.下列各組詞語中,完全沒有錯別字的選項是: (A)針貶時弊/變本加厲/貪髒枉法 (B)脫潁而出/憤世嫉俗/不徑而走 (C)膾炙人口/紛至踏來/非常岔異 (D)人才薈萃/草菅人命/勘查地形
#1917381
2.下列文句中由注音符號所代替的字,正確的字形依序是:「我們做任何事都應該趁早ㄔㄡˊ畫,未雨ㄔㄡˊ 繆,否則,到時壯志未ㄔㄡˊ,遺憾終身。」 (A)籌/稠/綢 (B)稠/籌/酬 (C)籌/綢/酬 (D)酬/稠/綢
#1917382
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