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110年 - 110 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價職位人員/電子電機:電子學#103387
> 試題詳解
43.在半導體材料中,自由電子與電洞都是屬於導電的載體,但是在材料內的移動速度,下列敘述何者正確?
(A)自由電子的移動速度比電洞的移動速度慢
(B)自由電子的移動速度比電洞的移動速度快
(C)自由電子的移動速度和電洞的移動速度一樣
(D)這是假設性題目,真實世界中沒有電洞存在,所以無法判斷
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統計:
A(6), B(114), C(17), D(4), E(0) #2798984
詳解 (共 1 筆)
鯨
B1 · 2022/06/23
#5523971
遷移率(Mobility, μ)的定義為...
(共 81 字,隱藏中)
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相關試題
43.在半導體材料中,自由電子與電洞都是屬於導電的載體,但是在材料內的移動速度,下列敘述何者正確?(A)自由電子的移動速度比電洞的移動速度慢 (B)自由電子的移動速度比電洞的移動速度快(C)自由電子的移動速度和電洞的移動速度一樣 (D)這是假設性題目,真實世界中沒有電洞存在,所以無法判斷
#3815068
44.已知由矽為主要材料的NPN電晶體,其BE接面與BC接面的障壁電壓分別為V BE = 0.7 V、V BC = 0.5 V;則當測 量到各接腳的電壓分別為(射極2.4 V)、(基極3.4 V)、(集極2.7 V)則該電晶體處於何種工作模式? (A)截止區模式 (B)線性放大模式 (C)飽和模式 (D)主動區域模式
#2798985
45.電晶體材料中負責導電的電荷載體主要為何? (A) P型電晶體材料中,電子為多數載體;電洞為少數載體 (B) N型電晶體材料中,電子為多數載體;電洞為少數載體 (C) P型電晶體材料中,只有電洞為多數載體;沒有電子 (D) N型電晶體材料中,只有電子為載體;沒有電洞
#2798986
46.典型的CMOS電晶體結構,主要是由何種型態的電晶體所構成? (A)一個PMOS和一個NMOS所構成;其柵極(Gate)接在一起 (B)兩個PMOS所構成;其柵極(Gate)接在一起 (C)兩個NMOS所構成;其柵極(Gate)接在一起 (D)事實上,CMOS是達靈頓電路的另一種名稱
#2798987
47.如【圖47】所示,由電阻、二極體及電壓源所構成的電路中,V m = 9 V,V 1 = 3 V,V 2 = 5 V,則有關輸出電壓的 敘述,下列何者正確? (A)輸出電壓正半週的最大值為 +3 V;負半週最大值為 +5 V (B)輸出電壓正半週的最大值為 -3 V;負半週最大值為 +5 V (C)輸出電壓正半週的最大值為 -5 V;負半週最大值為 +3 V (D)輸出電壓正半週的最大值為 +3 V;負半週最大值為 -5 V
#2798988
48.如【圖48】所示為電子電路中用來消除傳導電磁干擾的電路結構,圖中A、B、C、D四個元件的性質為何? (A) A與B是電容器;C與D是電感器 (B) A與C是電容器;B與D是電感器 (C) A與C是電感器;B與D是電容器 (D) A與B是電感器;C與D是電容器
#2798989
49.如【圖49】所示的電晶體電路中,流進電晶體集極的電流I C 為何? (A) 0.1 mA (B) 0.5 mA (C) 2.5 mA (D) 5.0 mA
#2798990
50.如【圖50】所示,由理想運算放大器OPA所組成的電路中,假若輸入電壓v i (t) = 10sin(ωt) mV,則輸出電壓v o 為何? (A) 100sin(ωt) mV (B) -100sin(ωt) mV (C) -50sin(ωt) mV (D) 50sin(ωt) mV
#2798991
1.有一台440V/110V,8kVA的單相變壓器,已知百分比電阻壓降為4%,百分比電抗壓降為5%,當 滿載且功率因數為0.8滯後時,則電壓調整率為多少? (A) 3% (B) 3.2% (C) 4.4% (D) 6.2%
#2798992
2.有三台單相理想變壓器,每台容量皆為20kVA,匝數比皆為20:1,現以Y - △接線,供應功率因數 為0.92滯後之三相平衡負載,滿載時測得一次側線電壓3300V,則二次側線電壓為多少伏特? (A) 165V (B) 151.8V (C) 110V (D) 95.26V
#2798993
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