44. 如右圖所示之MOSFET電路，其臨界電壓 $\mathrm{V_T} = 1.8\mathrm{V}$，參數 $\mathrm{K} = 1.2\mathrm{mA / V^2}$，已選擇適當之 $\mathrm{R_D}$ 使電路操作於飽和區且 $\mathrm{I_D} = 1.08\mathrm{mA}$，則 $\mathrm{R_{G1}}$ 應調整為何？(A) $150\mathrm{k}\Omega$(B) $180\mathrm{k}\Omega$(C) $210\mathrm{k}\Omega$(D) $250\mathrm{k}\Omega$