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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 初等考試_電子工程:電子學大意(重複)#46151
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6 如圖所示之MOS電路,Q
1
、Q
2
為P通道增強型MOSFET,Q
3
、Q
4
為N通道增強型MOSFET。此電路為何種邏輯閘?
(A)OR 閘
(B)NOR 閘
(C)AND 閘
(D)NAND 閘
答案:
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統計:
A(5), B(51), C(6), D(9), E(0) #1204377
詳解 (共 1 筆)
秋砯
B1 · 2019/05/21
#3364523
A=0 B=0 , Q1、Q2 導通...
(共 202 字,隱藏中)
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12
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/21
私人筆記#7656663
未解鎖
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1
0
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7 圖中以G1及G2兩個NOR閘組成RS型正反器(Flip-Flop),下列何者為其正確的反應? (A) R = 0, S = 0 , Q = 0 (B) R = 1, S = 0 , Q=0 (C) R = 0, S =1, Q = 0 (D) R = 1, S = 1 , Q = 1
#1204378
8 圖 中 電 路 , 假 設 VIN = 0 , VG = VDD , VDD = 5 V , C = 100 f F 。 當 VO = VDD , I D = 850 μA 。 當 VO = VDD / 2 , I D = 150 μA 。則此電路的 VO 從 VDD 降至 VDD / 2 所需要的時間約為: (A)1 ns (B)0.5 ns (C)0.25 ns (D)0.1 ns
#1204379
9 由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。若輸入信號的頻率為 1 /( 2 πRC ) ,則電壓增益 VO / VIN 的相 位角度(Phase Angle)為: (A)90 度 (B)45 度 (C)-45 度 (D)-90 度
#1204380
10 如圖所示電路,稽納(Zener)二極體之限電壓為 Vz = 5 V ,當電阻值 R1 = 2 kΩ , R2 = 3 kΩ , R3 = 6 kΩ , 輸出電壓 Vo 為: (A)+10 V (B)-10 V (C)+12 V (D)-12 V
#1204381
11 下列何者屬揮發性記憶體? (A)Flash (B)Mask ROM (C)DRAM (D)E2PROM
#1204382
12 對於理想電壓放大器(Voltage Amplifier)特性之敘述,下列何者正確? (A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸出阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電流放大器特性相同
#1204383
13 對一般雙極性電晶體而言,如果 β 值要大,電晶體的選擇是: (A)NPN 電晶體,基極寬度要大 (B)NPN 電晶體,基極寬度要小 (C)PNP 電晶體,基極寬度要大 (D)NPN 電晶體,基極寬度與 β 值無關
#1204384
14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成? (A)基板(Substrate)表面的多數載體因電場作用形成 (B)基板表面的少數載體因電場作用形成 (C)以擴散技術在基板表面形成 (D)以離子植入在基板表面形成
#1204385
15 所謂的本質(Intrinsic)半導體是指: (A)只有受體(Acceptors)加入 (B)除晶體原子外,沒有摻雜其他雜質 (C)只有施體(Donors)加入 (D)導電率接近導體的晶體材料
#1204386
16 如圖所示,不可能表達何種元件? (A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池(Photovoltaic Cell)
#1204387
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