6. 如下圖v(t)交流週期電壓，試問其有效值為何？

(A)4V
(B)5V
(C)6V
(D)8V

7. 有關 RLC 串聯諧振電路，下列敘述何者錯誤？ (A)當工作頻率低於諧振頻率時，電路的電流會超前電源電壓 (B)電路發生諧振時，電源端提供的視在功率會等於實功率 (C)若減少電路中的電阻值，電路的頻寬會變窄且選擇性變佳 (D)電路諧振時，電感兩端電壓與電容兩端電壓的相位相同，且大小相等

8. 如下圖，線電壓為 220V，則此電路總消耗虛功率為何？ (A)651.2 VAR，電容性 (B)651.2 VAR，電感性 (C)3748.8 VAR，電容性 (D)3748.8 VAR，電感性

9. 如圖所示之穩壓電路，若稽納二極體(Zener Diode)的崩潰電壓為 12V，輸入電壓的範圍為 16V ≦  Vi ≦ 24V，負載電阻的範圍為 600Ω ≦R ≦ 1200Ω。若要維持穩壓功能，則此稽納二極體所消耗之最大功率為何？ (A)480 mW (B)600 mW (C)720 mW (D)840 mW

10. 有關雙載子接面電晶體 (BJT)之敘述，下列何者錯誤？ (A)若要減緩歐力效應(Early Effect)並提高歐力電壓( VA )，元件設計上通常會使基極摻雜濃度( NB)大於集極摻雜濃度( NC)，讓集基接面( JCB)逆向偏壓時的空乏區主要往集極端延伸。 (B)當電晶體進入深度飽和區(Deep Saturation)時，由於集基接面( JCB)與射基接面( JEB)皆處於順向偏壓，基極區內將累積大量超額少數載子，導致穩態時的射極電流必大於集極與基極電流之總和(即 (IE>IB+ IC)以維持電荷平衡。 (C)若將 NPN 電晶體之射極與集極反接並操作於逆向主動區(Reverse-Active Mode)，由於原集極區的摻雜濃度較低，導致載子的射入效率 (Injection Efficiency) 極差，其共射極電流增益βR會遠小於正向主動區的 βF。 (D)為提升 BJT 的高頻切換響應，通常會盡可能縮減冶金基極寬度(Metallurgical base width)，但此舉會增加貫穿效應(Punch-through breakdown)發生的機率，使得基極與集極間的逆向崩潰電壓BVCBO顯著降低。

11. 一個三級串接放大器電路，已知輸入訊號源  Vs = 2mV，內阻 Rs = 1kΩ，負載電阻 RL = 100Ω。各級參數如下。試問輸出電壓Vo為何？ (A)180mV (B)720mV (C)900 mV (D)1.44V

12. 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？ (A)FET內部通道靠近汲極(Drain)端之有效截面積，會比靠近源極(Source)端來得窄 (B)為了維持在飽和區工作，汲極與源極間電壓( VDS)必須小於夾止電壓(VP)或過驅動電壓 (C)無論何種N通道 FET，其閘極與源極間電壓( VGS)皆必須大於零才能產生汲極電流 (D)FET內部靠近汲極端所形成的空乏區寬度，會比靠近源極端的空乏區窄

13. 如圖所示，已知 gm = 2mS，rd = 40kΩ，則電流增益為何？ (A)-400 (B)-800 (C)-1200 (D)-1600

14. 如下圖電路，QR 為主動負載，Q1和 Q2 為輸入端開關，試問該電路的邏輯功能為何？ (A)AND (B)OR (C)NAND (D)NOR

15. 如下圖電路，Vo = a× V1  + b×V2，試問 a + b為何？ (A)-2 (B)(C) (D)4

16. 有關OPA弦波振盪器，下列敘述何者正確？ (A)振盪開始時，電路閉迴路增益 βA必須略大於 1，隨後再靠非線性元件穩定於 1 (B)若要產生穩定的弦波振盪，其 β 網路產生的相移與放大器本身的相移總和必須為 180° (C)韋恩振盪器同時具備正回授與負回授，其中正回授用於控制增益大小 (D)RC 相移振盪器通常只用三組 RC 網路，每組提供約 120°的相移

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