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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38796
> 試題詳解
7 如圖的電流鏡電路中,電晶體Q
1
、Q
2
具相同特性,其臨限電壓為V
t
。要使輸出電流I
o
最接近I
REF
,則 輸出電壓V
o
應:
(A)V
o
=V
GS
(B)V
o
=V
t
(C)V
o
=V
GS
-V
t
(D)V
o
=V
GS
+V
t
答案:
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統計:
A(20), B(1), C(10), D(2), E(0) #1108675
詳解 (共 1 筆)
sv(邀請碼232196)
B1 · 2017/05/19
#2201508
兩FET特性相同,表K、Vt值相同ID=...
(共 64 字,隱藏中)
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0
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8-3 8 如圖所示之增強(Enhancement)型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,已知在工作點的轉移電 導(Transconductance)gm為 1.5 mS,閘源極臨界電壓(Threshold Voltage)VGS(th)為 3 V,不考慮接 面場效電晶體的交流輸出阻抗rd的影響,則此放大器的電壓增益Av(=Vo/Vi)約為多少? (A) 13.3(B)9.8(C) 6.5 (D) 3.3
#1108676
9 一個p+n接面二極體,其p型側的雜質濃度NA,遠大於n型側的雜質濃度ND,則在下列四個選項中,那一 項對p+n接面二極體的逆向飽和電流IS的影響最小? (A)接面面積 (B)溫度 (C)p型區雜質濃度NA (D)n型區雜質濃度ND
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10 圖中電晶體β=100,VBE(sat)=0.8 V及VCE(sat)=0.2 V,若要使電晶體在飽和區工作,則最大值RB約為:(A) 520 kΩ (B) 430 kΩ (C) 340 kΩ (D) 210 kΩ
#1108678
11 如圖所示電路,電晶體Qn與Qp具有相同之特性,其臨限電壓Vtn=|Vtp|=1 V。當輸入電壓Vi=2.5 V時, 其輸出電壓Vo為: (A) 5 V (B) 4 V (C) 2.5 V (D) 1 V
#1108679
12 NAND Flash 記憶體其特性及應用,何者錯誤? (A)讀取速度比 NOR Flash 快 (B)可儲存大量資料 (C)數位相機 (D) MP3
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13 如圖所示之MOS電路,Q1、Q2及Q5為增強型P通道MOSFET,Q3、Q4及Q6為增強型N通道MOSFET ,則輸出Y為:
#1108681
14 圖中邏輯電路之布林函數為何?
#1108682
15 關於圖中濾波器,下列敘述何者錯誤? (A)帶通(Band Pass)濾波器 (B)中心頻率為: (C)品質因素(Quality Factor,Q)為: (D)一階濾波器
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16 圖示電路為: (A)單穩態多諧振盪器(Monostable Multivibrator) (B)無穩態多諧振盪器(Astable Multivibrator) (C)比較器(Comparator) (D)雙穩態多諧振盪器(Bistable Multivibrator)
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17 如圖所示電路,Av=Vo/Vi的頻率響應圖是下列何者?
#1108685
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