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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28835
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7 某 0.25 μm 製程中,MOSFET 元件通道長度均為 L = 0.25 μm,假設電子對電洞的遷移率比 μ
n
/μ
p
= 3, 要使 CMOS 反相器具有對稱的轉移特性,通道的寬度比 Wn/Wp應為多少?
(A) 3
(B) 1/3
(C) 9
(D) 1/9
答案:
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統計:
A(12), B(83), C(6), D(9), E(0) #979225
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/12/14
#1217798
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/23
私人筆記#7665255
未解鎖
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8 下列有關發光二極體(LED)特性的敘述,何者錯誤? (A)發光是操作在順向偏壓 (B)是少數載子彼此在空乏區內復合發出光線 (C)一般 LED 可由 GaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaN 材料所製 (D)也是新一代的照明裝置
#979226
9 有關積體電路設計的趨勢,下列敘述何者錯誤? (A)使用大電容以消除雜訊 (B)避免使用大電阻 (C)降低零件的尺寸大小 (D)低電壓電源
#979227
10 在負(n)型半導體材料中,主要的電流傳導載子是: (A)離子 (B)電子 (C)電洞 (D)原子
#979228
11 如圖振幅限制器(Limiter)電路,U1 為理想運算放大器,假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知 V = 15 V、R1 = 40 kΩ、Rf = 60 kΩ、R2 = 9 kΩ、R3 = 3 kΩ、R4 = 3 kΩ、R5 = 9 kΩ。對於輸出與輸 入電壓之間的轉移特性,下列曲線何者較正確? (A) (B) (C) (D)
#979229
12 圖示整流電路,若交流電 vS之有效值電壓為 10 Vrms,二極體導通時的壓降 VD為 0.7 V,則 vO的電 壓平均值約為若干? (A) 6 V (B) 8 V (C) 10 V (D) 16 V
#979230
13 如圖所示之電路,設二極體皆為理想,則有關此電路之敘述,下列何者正確? (A) C2的耐壓為 Vm (B) C4的耐壓為 2 Vm (C) D4的峰值反向電壓為 2 Vm (D)此電路為半波四倍壓電路
#979231
14 如圖的二極體電路,二極體 D1、D2具有相同之特性。輸出電壓 VO的值為: (A)-10 V (B) 0 V (C) 2 V (D) 10 V
#979232
15 如圖電路中,D1與 D2均為理想二極體。當 VI = -5 V 時,VO的值為: (A)-5 V (B)-3 V (C)+2 V (D)+10 V
#979233
16 有一放大器電路如下圖所示,放大器 U1 為理想運算放大器。二極體 D1 順向電壓 VD0 = 0.7 V。若電 阻 R1 = 1 kΩ,交流電源 V1 = -5 V,試問節點 B 的電壓 VB應落在下列何範圍內? (A) VB ≥ -4.0 V (B)-4.0 V > VB ≥ -4.5 V (C)-4.5 V > VB ≥ -5 V (D)-5.0 V > VB
#979234
17 二極體崩潰時會產生大的逆向電流,其主要原因有: (A)霍爾效應(Hall Effect)與通道長度調變效應(Channel Length Modulation Effect) (B)本體效應(Body Effect)與爾利效應(Early Effect) (C)齊納效應(Zener Effect)與雪崩效應(Avalanche Effect) (D)米勒效應(Miller Effect)與溫度效應(Temperature Effect)
#979235
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