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110年 - 台灣電力公司 110 年度新進僱用人員甄試試題:專業科目 A(電子學)#98715
> 試題詳解
8. 二極體逆向電流係由少數載子電流與下列何者所組成?
(A)雪崩效應
(B)表面漏電流
(C)順向電流
(D)稽納電流
答案:
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統計:
A(10), B(151), C(6), D(21), E(0) #2703803
詳解 (共 1 筆)
hchungw
B1 · 2021/10/29
#5182628
二極體逆向電流係由少數載子電流與
表面漏電流
1
1
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/10/25
私人筆記#7517047
未解鎖
? 二極體逆向電流的來源 當二極體處於...
(共 560 字,隱藏中)
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9. 電晶體偏壓時,若將集極與射極對調,使得基極對射極接面為逆向偏壓,而基極對集極接面為順向偏壓,則有關電晶體之敘述,下列何者正確? (A)耐壓降低,增益提高 (B)耐壓提高,增益降低 (C)耐壓及增益皆降低 (D)耐壓及增益皆提高
#2703804
10. 電晶體作為開關使用,若開關未導通時,則此電晶體工作於輸出特性曲線的何區域? (A)飽和區 (B)順向偏壓工作區 (C)反向偏壓工作區 (D)截止區
#2703805
11. 若NPN電晶體應用於工作區,則有關電晶體偏壓情形,下列敘述何者正確? (A) B-E極加順偏,B-C極加逆偏 (B) B-E極加順偏,B-C極加順偏 (C) B-E極加逆偏,B-C極加逆偏 (D) B-E極加逆偏,B-C極加順偏
#2703806
12. 如右圖所示,共射極電路若,,則電晶體之β值最接近下列何者? (A) 104 (B) 123 (C) 133 (D) 145
#2703807
13. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET),下列敘述何者有誤?(為閘極至源極之電壓) (A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在 (B)空乏型N通道MOSFET其可接負電壓或正電壓 (C)增強型P通道MOSFET其若接正電壓,則無法建立通道 (D)增強型N通道MOSFET臨界電壓之值為正
#2703808
14. 有關場效電晶體,下列敘述何者有誤?(為汲極電流,為閘極電流) (A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體 (B)場效電晶體的主要型式有接面場效應(JFET)、空乏型MOSFET、增強型MOSFET (C)場效電晶體以控制通道之寬度達到控制大小之目的 (D)對場效電晶體的影響最大的是
#2703809
15. 如下圖所示,當 時, 及,求偏壓時之 值為何? (A) 625 Ω (B) 750 Ω (C) 800 Ω (D) 1,000 Ω
#2703810
16. 接面場效應電晶體(JFET)之汲極與源極間,通道的有效寬度會隨著逆向偏壓增加而減小, 而當VGS逆向偏壓夠大,致使通道寬度降為零,此時的值稱為何種電壓? (A)夾止電壓 (B)崩潰電壓 (C)峰值反向電壓 (D)截止電壓
#2703811
17. 為使一差動放大器的共模拒斥比(CMRR)變大,下列敘述何者正確? (A)減少基極電阻 (B)減少射極電阻 (C)加大射極電阻 (D)加大集極電阻
#2703812
18. 如下圖所示之串級電路,已知β1 = β2 = 50,則此放大器的電流增益為何? (A) 5 (B) 50 (C) 100 (D) 2,500
#2703813
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