題組內容

四、考慮一多晶矽閘極金氧半電容（polysilicon-gate MOS capacitor） ，在高摻雜的閘極，其 EF - EC = 0.2 eV；在一般摻雜的矽基板，其 EC - EF = 0.2 eV。 假設此結構理想化，

(一)畫出此多晶矽閘極金氧半電容在平帶（flat-band）情況下的能帶圖。 （10 分）