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化學程序工業(包括質能均衡)
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103年 - 103 關務特種考試_三等_化學工程:化學程序工業(包括質能均衡)#39789
> 申論題
題組內容
七、茲將含 40 mol%正戊烷(n-pentane)及 60 mol%正己烷(n-hexane)的液體混合物連 續注入 250℉及 80 psia 的閃餾分離器(flash separator)中,已知在 250℉時正戊烷 的蒸氣壓為 9.07 atm,正己烷為 4.03 atm,試決定:
⑴每莫耳混合液進料可得的塔頂氣體及塔底液體的莫耳數。(10 分)
相關申論題
⑵塔頂氣體及塔底液體的莫耳百分比組成。(10 分)
#119860
⑵假設每一個原子為一個硬球體且表面與相鄰原子的表面緊密相接,試求在面心立 方晶格(fcc)中,單胞中被原子占據的體積比例。(8 分)
#119862
二、⑴考慮T=300 K摻雜鎵原子(Ga)2 × 1016 atoms/cm3於純矽晶體中,若本質濃度ni =1.5 × 1010/cm3,則決定摻雜後之材料為n型或p型及電子濃度(n)、電洞濃度( p)。(8 分)
#119863
⑵考慮矽在T=300 K且施體濃度Nd=1017/cm3、Na=0,若Nc=2.8 × 1019/cm3、Nv =1.04 × 1019/cm3,則計算此摻雜濃度時費米能階相對於本質費米能階的位置。(7 分)
#119864
三、⑴試述 pn 接面在交流小訊號情況下之等效電路,並推導公式之由來。(7 分)
#119865
⑵試述 pn 接面之兩種接面崩潰(junction breakdown)機制,並以能帶圖說明之。 (8 分)
#119866
五、對 MOS 寄 生 電 容 而 言 , 在 T=300 K 下 , 考 慮 p 型 矽 基 板 (ε s = 11.7ε 0 ) , ε 0 = 8.85 × 10 −14 F / cm 2 其摻雜量Na =1016/cm3 ,若氧化層是二氧化矽 (ε ox = 3.9ε 0 ) , ° 厚度為 550 A ,而且閘極為鋁材質,試計算出氧化層電容(Cox)、最小電容(Cmin) 及平帶電容(CFB)等值。(20 分)
#119868
六、⑴請解釋為何射頻濺鍍法(RF sputter)能同時濺鍍導電與非導電材質,而直流濺鍍 法(DC sputter)僅能濺鍍導電材質的原因。(10 分)
#119869
⑵請說明反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etch)的原理,並說明其是否為選擇性和等 向性蝕刻。(10 分)
#119870
一、造形美學上所謂「美的形式原理」包括那些法則?請詳細說明之。(25 分)
#119871
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