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半導體工程
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105年 - 105 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#54457
> 申論題
題組內容
二、若有一理想 n 型矽半導體與一理想矽 pn 接面二極體,其元件結構如圖 2 所示。 (每小題 10 分,共 20 分)
⑴請繪出此兩個元件於照光(光能量>矽能隙寬度)前與後的 I-V 特性曲線。
相關申論題
⑵比較兩個元件於照光下的 I-V 曲線,說明其不同處及造成兩者差異之原因。
#202091
⑴若汲極飽和電壓與飽和電流分別為 2.5 V 與 5 mA,請繪出汲極電壓範圍 0 ≤ Vds ≤ 5 V 之輸出特性曲線並求對應此曲線之閘極電壓Vgs 。
#202092
⑵求於Vds = Vgs = 4.5 V 偏壓下之汲極電流 I ds 以及於源極端與汲極端之單位面積反轉 層電荷量。
#202093
四、請敘述雙極性接面電晶體(BJT)擁有電流放大能力之主因。(15 分)
#202094
⑴請繪出蝕刻深度為 0.707 μm 時所得蝕刻圖形的剖面圖(須標示蝕刻圖形之尺寸、 蝕刻面及角度)(15 分) 。
#202095
⑵請說明何以得到此種蝕刻圖案之原因。 (5 分)
#202096
一、說明土壤有機質在園藝生產上之重要性,以及有機質組成。(25 分)
#202097
二、果樹除正常產期外,可以利用那些方法來打破芽體休眠達到調節產期目的?(25 分)
#202098
三、發根劑主要有那些成分,說明其配製方法。(25 分)
#202099
四、敘述非農藥防治園藝作物病蟲害有那些方法?(25 分)
#202100
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